MOSFET Toshiba canal N, A-220 60 A 120 V, 3 broches

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Unité
Prix par unité
50 - 950,426 €
100 - 2450,388 €
250 - 4950,366 €
500 +0,338 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
Code commande RS:
896-2347P
Référence fabricant:
TK32E12N1,S1X(S
Marque:
Toshiba
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Marque

Toshiba

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

60 A

Tension Drain Source maximum

120 V

Type de boîtier

A-220

Série

TK

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum

13,8 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4V

Dissipation de puissance maximum

98 W

Configuration du transistor

Simple

Tension Grille Source maximum

-20 V, +20 V

Nombre d'éléments par circuit

1

Charge de Grille type @ Vgs

34 nC @ 10 V

Matériau du transistor

Si

Largeur

4.45mm

Température d'utilisation maximum

+150 °C

Longueur

10.16mm

Hauteur

15.1mm

Transistor MOSFET à canal N, série TK3x, Toshiba


Transistors MOSFET, Toshiba


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