MOSFET Toshiba canal N, A-220 60 A 120 V, 3 broches
- Code commande RS:
- 896-2347P
- Référence fabricant:
- TK32E12N1,S1X(S
- Marque:
- Toshiba
Prix dégressifs sur quantité
Sous-total 50 unités (conditionné en sac)*
21,30 €
HT
25,55 €
TTC
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 50 - 95 | 0,426 € |
| 100 - 245 | 0,388 € |
| 250 - 495 | 0,366 € |
| 500 + | 0,338 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 896-2347P
- Référence fabricant:
- TK32E12N1,S1X(S
- Marque:
- Toshiba
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Toshiba | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum | 60 A | |
| Tension Drain Source maximum | 120 V | |
| Type de boîtier | A-220 | |
| Série | TK | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum | 13,8 mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension de seuil maximale de la grille | 4V | |
| Dissipation de puissance maximum | 98 W | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Tension Grille Source maximum | -20 V, +20 V | |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 | |
| Charge de Grille type @ Vgs | 34 nC @ 10 V | |
| Matériau du transistor | Si | |
| Largeur | 4.45mm | |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C | |
| Longueur | 10.16mm | |
| Hauteur | 15.1mm | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Toshiba | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum 60 A | ||
Tension Drain Source maximum 120 V | ||
Type de boîtier A-220 | ||
Série TK | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum 13,8 mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension de seuil maximale de la grille 4V | ||
Dissipation de puissance maximum 98 W | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Tension Grille Source maximum -20 V, +20 V | ||
Nombre d'éléments par circuit 1 | ||
Charge de Grille type @ Vgs 34 nC @ 10 V | ||
Matériau du transistor Si | ||
Largeur 4.45mm | ||
Température d'utilisation maximum +150 °C | ||
Longueur 10.16mm | ||
Hauteur 15.1mm | ||
Transistor MOSFET à canal N, série TK3x, Toshiba
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