MOSFET IXYS canal N, A-247 62 A 650 V, 3 broches
- Code commande RS:
- 917-1417
- Référence fabricant:
- IXTH62N65X2
- Marque:
- IXYS
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9,85 €
HT
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TTC
| Unité | Prix par unité |
| 1 - 4 | 9,85 € |
| 5 - 9 | 9,40 € |
| 10 - 59 | 8,92 € |
| 60 - 179 | 8,31 € |
| 180 + | 8,11 € |
- Code commande RS:
- 917-1417
- Référence fabricant:
- IXTH62N65X2
- Marque:
- IXYS
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série X2
La série X2 de transistor MOSFET de puissance d'IXYS offre une résistance et une charge de grille extrêmement réduites par rapport aux générations précédentes de MOSFET de puissance, entraînant une réduction des pertes et une plus grande efficacité opérationnelle. Ces dispositifs robustes intègrent une diode intrinsèque et sont adaptés à la fois aux applications de commutation difficile et de mode de résonance. Les transistors MOSFET de classe X2 sont disponibles dans de nombreux boîtiers standards, notamment des boîtiers isolés avec des valeurs nominales pouvant atteindre 120 A à 650 V. Les applications typiques incluent les convertisseurs c.c.-c.c., les drivers de moteurs c.a. et c.c., les alimentations à découpage et à mode de résonance, les choppers c.c., les inverseurs solaires et les contrôleurs de température et d'éclairage.
Très faibles RDS(on) et QG (charge de grille)
Diode de redressement intrinsèque
Grille à faible résistance intrinsèque
Boîtier à faible inductance
Boîtier standard
Diode de redressement intrinsèque
Grille à faible résistance intrinsèque
Boîtier à faible inductance
Boîtier standard
Transistors MOSFET, IXYS
Une large gamme de dispositifs de puissance discrets avancés MOSFET d'IXYS
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | N |
| Courant continu de Drain maximum | 62 A |
| Tension Drain Source maximum | 650 V |
| Type de boîtier | A-247 |
| Série | X2-Class |
| Type de montage | Traversant |
| Nombre de broches | 3 |
| Résistance Drain Source maximum | 50 mΩ |
| Mode de canal | Enrichissement |
| Tension de seuil maximale de la grille | 5V |
| Tension de seuil minimale de la grille | 2.7V |
| Dissipation de puissance maximum | 780 W |
| Configuration du transistor | Simple |
| Tension Grille Source maximum | -30 V, +30 V |
| Longueur | 16.13mm |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
| Matériau du transistor | Si |
| Charge de Grille type @ Vgs | 100 nC @ 10 V |
| Largeur | 21.34mm |
| Tension directe de la diode | 1.4V |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
| Hauteur | 5.21mm |