IGBT

Les IGBT (transistors bipolaires à grille isolée) sont des composants semi-conducteurs principalement utilisés comme dispositifs de commutation. Ces produits permettent d'autoriser ou d'arrêter le flux de puissance. Ils offrent de nombreux avantages en raison d'un croisement entre deux des transistors de puissance les plus courants, transistors bipolaires et MOSFET.

Comment fonctionnent les transistors IGBT ?

Les transistors IGBT sont des dispositifs à trois bornes qui appliquent une tension à un semi-conducteur, modifiant ses propriétés pour bloquer le flux de puissance lorsqu'il est à l'arrêt et permettre le flux de puissance à l'activation. Ils sont contrôlés par une structure de grille à semi-conducteur en oxyde métallique. Les transistors IGBT sont largement utilisés pour la commande de commutation de puissance électrique dans les applications, telles que le soudage, les voitures électriques, les climatiseurs, les trains et les alimentations sans interruption.

Quels sont les différents types de transistors IGBT ?

Il existe différents types de transistors IGBT, classés par paramètres, tels que la tension maximale, le courant de collecteur, le type d'emballage et la vitesse de commutation. Le type de transistor IGBT que vous choisissez varie en fonction du niveau de puissance exact et des applications à prendre en compte.

Quelle est la différence entre les MOSFET et les IGBT ?

Les IGBT ont une chute de tension directe beaucoup plus faible que les transistors MOSFET conventionnels dans des dispositifs à tension nominale de blocage plus élevée. Toutefois, les transistors MOSFET sont caractérisés par une tension directe plus faible et des densités de courant plus faibles en raison de l'absence de diode Vf dans la sortie BJT de l'IGBT.

Un module de transistor IGBT (transistor bipolaire à grille isolée) se compose d'un ou plusieurs IGBT et est utilisé dans de nombreux types d'équipement industriel en raison de sa fiabilité. Les transistors IGBT sont à l'intersection entre les transistors à jonction bipolaire (BJT) et les transistors MOSFET. Ils sont extrêmement efficaces et à commutation rapide, et ils sont dotés de caractéristiques de courant élevé et de faible tension de saturation.