Transistors Bipolaires, Transistor Npn | RS
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    Transistors bipolaires

    Les transistors bipolaires sont des dispositifs à trois broches, à l'état solide, fabriqués en trois couches de silicium. Un transistor bipolaire est conçu pour amplifier le courant ; ils peuvent également fonctionner comme un commutateur. Il existe deux principaux types de transistor, PNP (positif négatif positif) ou NPN (négatif positif négatif).

    Comment est fabriqué un transistor bipolaire ?

    Les transistors bipolaires sont fabriqués en joignant deux diodes de signal à l'arrière, créant deux jonctions PN connectées en série, partageant un terminal P ou N commun. Par nature, le silicium ne conduit normalement pas bien l'électricité. Toutefois, en traitant le silicium avec certains composants chimiques (ou impuretés), le matériau et les électrons se comportent différemment. Ce processus est appelé dopage. Le processus de dopage améliore la capacité des semi-conducteurs à conduire l'électricité.

    Comment fonctionnent les transistors bipolaires ?

    Les transistors bipolaires ont deux fonctions possibles, la commutation et l'amplification. Grâce aux trois couches de matériau semi-conducteur dopé des dispositifs, l'alimentation du transistor avec une tension de signal permet au composant discret d'agir comme un isolant ou un conducteur. Ce changement intelligent fournit aux transistors deux fonctions de base, l'électronique de commutation (numérique) ou l'électronique d'amplification (analogique).

    Les transistors sont disponibles en options de montage sur panneau, en surface et par montage traversant dans un boîtier en plastique ou des versions en métal. Ils sont tous dotés de trois bornes ou broches, de la base, du collecteur et de l'émetteur.

    Ils sont également disponibles en tant que :

    • Transistors numériques : fabriqués en matériau semi-conducteur, généralement en silicium, qui conduit le courant (ou l'électricité) avec peu de résistance. Ils disposent le plus souvent d'au moins trois bornes pour une connexion facile au circuit externe.
    • Transistors UJT : fabriqués à partir d'une barre de silicone de type N légèrement dopée avec une pièce en matériau de type P, de dimensions réduites, fortement dopée et attachée à un côté. Etant donné que la barre en silicium est légèrement dopée, elle offre une très haute résistance.

    Applications des transistors bipolaires

    Les transistors sont l'un des composants discrets les plus largement utilisés dans les conceptions et circuits électroniques. Les transistors sont utilisés pour l'amplification de tous les types de signaux électriques dans les circuits composés de composants individuels plutôt que de CI (circuits intégrés).

    5436 Produits présentés pour Transistors bipolaires

    onsemi
    PNP
    -15 A
    -260 V
    TO-264
    Traversant
    200 W
    -
    Simple
    260 V c.c.
    5 V
    30 MHz
    3
    1
    onsemi
    NPN
    30 A
    90 V
    TO-204AA
    Traversant
    200 W
    25
    Simple
    100 V
    4 V
    -
    2
    1
    STMicroelectronics
    PNP
    3 A
    -60 V
    SOT-89
    CMS
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    3
    1
    onsemi
    NPN
    2 A
    115 V
    A-220
    Traversant
    30 W
    40
    Simple
    100 V
    5 V
    -
    3
    1
    DiodesZetex
    NPN
    1 A
    80 V
    SOT-223 (SC-73)
    CMS
    -
    100
    -
    -
    -
    -
    4
    -
    onsemi
    NPN
    50 mA
    120 V
    TO-92
    Traversant
    500 mW
    -
    Simple
    120 V
    5 V
    110 MHz
    3
    1
    DiodesZetex
    NPN
    100 mA
    30 V
    SOT-23
    CMS
    300 mW
    420
    Simple
    30 V
    5 V
    300 MHz
    3
    1
    Toshiba
    NPN
    15 A
    230 V
    TO-3PL
    Traversant
    150 W
    55
    Simple
    230 V
    5 V
    -
    3
    1
    onsemi
    NPN
    100 mA
    50 V
    SOT-416 (SC-75)
    CMS
    300 mW
    -
    Simple
    -
    6 V
    -
    3
    1
    onsemi
    NPN
    200 mA
    40 V
    TO-92
    Traversant
    625 mW
    -
    Simple
    60 V
    6 V
    300 MHz
    3
    1
    onsemi
    NPN
    600 mA
    160 V
    TO-92
    Traversant
    625 mW
    -
    Simple
    180 V
    6 V
    100 MHz
    3
    1
    onsemi
    NPN
    100 mA
    30 V
    TO-92
    Traversant
    500 mW
    -
    Simple
    30 V
    5 V
    1 MHz
    3
    1
    onsemi
    NPN
    150 mA
    300 V
    SOT-323 (SC-70)
    CMS
    450 mW
    40
    Simple
    -
    6 V c.c.
    -
    3
    1
    onsemi
    PNP
    -800 mA
    -60 V
    TO-92
    Traversant
    625 mW
    100
    Simple
    -60 V
    -5 V
    100 MHz
    3
    1
    onsemi
    NPN
    16 A
    140 V
    TO-204
    Traversant
    150 W
    15
    Simple
    160 V
    7 V
    -
    3
    1
    DiodesZetex
    NPN
    6 A
    60 V
    SOT-223 (SC-73)
    CMS
    3 W
    100
    Simple
    150 V
    6 V
    -
    3 + Tab
    1
    DiodesZetex
    NPN
    100 mA
    45 V
    SOT-363 (SC-88)
    CMS
    200 mW
    200
    Isolé
    50 V
    5 V
    -
    6
    2
    onsemi
    PNP
    -100 mA
    -65 V
    TO-92
    Traversant
    500 mW
    -
    Simple
    -80 V
    -5 V
    150 MHz
    3
    1
    onsemi
    NPN
    500 mA
    300 V
    TO-225
    Traversant
    20 W
    30
    Simple
    -
    3 V
    -
    3
    1
    onsemi
    PNP
    -100 mA
    -45 V
    TO-92
    Traversant
    500 mW
    -
    Simple
    -50 V
    -5 V
    150 MHz
    3
    1
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