Amplificateur RF, Infineon Faible bruit 19.6 dB,6 broches 1615MHz TSNP
- Code commande RS:
- 258-0653
- Référence fabricant:
- BGA524N6E6327XTSA1
- Marque:
- Infineon
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 258-0653
- Référence fabricant:
- BGA524N6E6327XTSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Standard automobile | Non | |
| Type de produit | Amplificateur RF | |
| Type d'amplificateur | Faible bruit | |
| Gain | 19.6 dB | |
| Nombre de broches | 6 | |
| Fréquence de fonctionnement | 1615 MHz | |
| Type de Boitier | TSNP | |
| Température d'utilisation maximum | 85 °C | |
| Tension d'alimentation maximum | 3.3 V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40 °C | |
| Tension d'alimentation minimum | 1.5 V | |
| Facteur de bruit | 1 dB | |
| P1dB - Point de compression | 60 mW | |
| Série | BGA524N6 | |
| Normes/homologations | Pb-Free (RoHS) | |
| Technologie | Silicium Germanium | |
| Interception de troisième ordre (OIP3) | -4 dBm | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Standard automobile Non | ||
Type de produit Amplificateur RF | ||
Type d'amplificateur Faible bruit | ||
Gain 19.6 dB | ||
Nombre de broches 6 | ||
Fréquence de fonctionnement 1615 MHz | ||
Type de Boitier TSNP | ||
Température d'utilisation maximum 85 °C | ||
Tension d'alimentation maximum 3.3 V | ||
Température minimum de fonctionnemen -40 °C | ||
Tension d'alimentation minimum 1.5 V | ||
Facteur de bruit 1 dB | ||
P1dB - Point de compression 60 mW | ||
Série BGA524N6 | ||
Normes/homologations Pb-Free (RoHS) | ||
Technologie Silicium Germanium | ||
Interception de troisième ordre (OIP3) -4 dBm | ||
The Infineon silicon germanium low noise amplifier for global navigation satellite systems is a front-end low noise amplifier for GNSS from 1550 MHz to 1615 MHz like GPS, GLONASS, Beidou, Galileo and others. The LNA provides 19.6 dB gain and 0.55 dB noise figure at a current consumption of 2.5 mA in the application configuration described in Chapter 3.
B7HF Silicon Germanium technology
RF output internally matched to 50 Ω
Only 1 external SMD component necessary
2kV HBM ESD protection (including AI-pin)
Pb-free (RoHS compliant) package
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