Circuit de commutation RF BGSX22G5A10E6327XTSA1, 10 broches ATSLP-10-50

Le commutateur MOS RF Infineon BCFSM22G5A10 est spécialement conçu pour les applications d'antenne multiple LTE et WCDMA. Ce DPDT offre une faible perte d'insertion et une faible génération harmonique couplée avec une isolation élevée entre les ports RF. Le commutateur est contrôlé via une interface GPIO. Le contrôleur intégré permet des tensions d'alimentation de 1,65 à 3,4 V.

Commutateur croisé d'antenne DPDT CMOS RF avec capacité de gestion de l'alimentation jusqu'à 37 dBm
Très faible perte d'insertion et génération d'harmoniques
Couverture de 0,1 à 6 GHz
Isolation de port à port élevée
Aucun condensateur de découplage nécessaire si aucun courant continu n'est appliqué sur les lignes RF
Interface d'entrée-sortie à usage général (GPIO)
Petit facteur de forme 1,1 x 1,5 mm
Aucun blocage d'alimentation requis