Circuit de commutation RF Infineon 10 broches ATSLP
- Code commande RS:
- 222-4789
- Référence fabricant:
- BGSX22G5A10E6327XTSA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 4500 unités)*
1 107,00 €
HT
1 327,50 €
TTC
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 4500 + | 0,246 € | 1 107,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 222-4789
- Référence fabricant:
- BGSX22G5A10E6327XTSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Technologie | Technologie MOS | |
| Type de produit | Circuit de commutation RF | |
| Type de Boitier | ATSLP | |
| Nombre de broches | 10 | |
| Type de montage | Surface | |
| Type d'interface | GPIO | |
| Fréquence de fonctionnement bande 1 | 0.1GHz | |
| Tension d'alimentation minimum | 1.65V | |
| Fréquence de fonctionnement bande 2 | 6GHz | |
| Tension d'alimentation maximum | 3.6V | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 125°C | |
| Série | BGSX 22G 5A 10 | |
| Hauteur | 0.55mm | |
| Normes/homologations | RoHS and WEEE | |
| Longueur | 1.5mm | |
| Nombre de bandes | 2 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Technologie Technologie MOS | ||
Type de produit Circuit de commutation RF | ||
Type de Boitier ATSLP | ||
Nombre de broches 10 | ||
Type de montage Surface | ||
Type d'interface GPIO | ||
Fréquence de fonctionnement bande 1 0.1GHz | ||
Tension d'alimentation minimum 1.65V | ||
Fréquence de fonctionnement bande 2 6GHz | ||
Tension d'alimentation maximum 3.6V | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 125°C | ||
Série BGSX 22G 5A 10 | ||
Hauteur 0.55mm | ||
Normes/homologations RoHS and WEEE | ||
Longueur 1.5mm | ||
Nombre de bandes 2 | ||
Standard automobile Non | ||
Le commutateur MOS RF Infineon BCFSM22G5A10 est spécialement conçu pour les applications d'antenne multiple LTE et WCDMA. Ce DPDT offre une faible perte d'insertion et une faible génération harmonique couplée avec une isolation élevée entre les ports RF. Le commutateur est contrôlé via une interface GPIO. Le contrôleur intégré permet des tensions d'alimentation de 1,65 à 3,4 V.
Commutateur croisé d'antenne DPDT CMOS RF avec capacité de gestion de l'alimentation jusqu'à 37 dBm
Très faible perte d'insertion et génération d'harmoniques
Couverture de 0,1 à 6 GHz
Isolation de port à port élevée
Aucun condensateur de découplage nécessaire si aucun courant continu n'est appliqué sur les lignes RF
Interface d'entrée-sortie à usage général (GPIO)
Petit facteur de forme 1,1 x 1,5 mm
Aucun blocage d'alimentation requis
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