Infineon Circuit de commutation RF Non BGSX22G5A10E6327XTSA1 10 broches ATSLP

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Code commande RS:
222-4790
Référence fabricant:
BGSX22G5A10E6327XTSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

Circuit de commutation RF

Technologie

Technologie MOS

Type de Boitier

ATSLP

Nombre de broches

10

Type de montage

Surface

Type d'interface

GPIO

Fréquence de fonctionnement bande 1

0.1GHz

Fréquence de fonctionnement bande 2

6GHz

Tension d'alimentation minimum

1.65V

Tension d'alimentation maximum

3.6V

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Température d'utilisation maximum

125°C

Normes/homologations

RoHS and WEEE

Série

BGSX 22G 5A 10

Longueur

1.5mm

Largeur

1.1 mm

Hauteur

0.55mm

Standard automobile

Non

Nombre de bandes

2

Le commutateur MOS RF Infineon BCFSM22G5A10 est spécialement conçu pour les applications d'antenne multiple LTE et WCDMA. Ce DPDT offre une faible perte d'insertion et une faible génération harmonique couplée avec une isolation élevée entre les ports RF. Le commutateur est contrôlé via une interface GPIO. Le contrôleur intégré permet des tensions d'alimentation de 1,65 à 3,4 V.

Commutateur croisé d'antenne DPDT CMOS RF avec capacité de gestion de l'alimentation jusqu'à 37 dBm

Très faible perte d'insertion et génération d'harmoniques

Couverture de 0,1 à 6 GHz

Isolation de port à port élevée

Aucun condensateur de découplage nécessaire si aucun courant continu n'est appliqué sur les lignes RF

Interface d'entrée-sortie à usage général (GPIO)

Petit facteur de forme 1,1 x 1,5 mm

Aucun blocage d'alimentation requis

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