Jonction au silicium Non Infineon, Simple, 30 A 1200 V, 2 broches, TO-220

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Code commande RS:
110-7168
Référence fabricant:
IDP30E120XKSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Courant direct maximum If

30A

Type de produit

Jonction au silicium

Configuration de diode

Simple

Type de montage

Traversant

Sous type

Jonction au silicium

Type de Boitier

TO-220

Nombre de broches

2

Tension inverse de crête répétitive Vrrm

1200V

Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm

102A

Tension directe maximale Vf

2.15V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Temps de recouvrement inverse crête trr

380ns

Dissipation de puissance maximum Pd

138W

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

15.95mm

Largeur

4.5 mm

Normes/homologations

No

Longueur

10.2mm

Standard automobile

Non

Diodes contrôlées par des émetteurs à commutation, Infineon


Les diodes contrôlées par émetteurs à commutation, d'Infineon, regroupent les familles Rapid 1 et Rapid 2 ainsi que les diodes ultra-souples de 600 V/1 200 V. Les diodes fonctionnent dans diverses applications (télécommunications, systèmes d'alimentation sans coupure, soudure, c.a.-c.c.), et la version ultra-souple convient pour les applications à entraînement de moteur jusqu'à 30 kHz.

La diode Rapid 1 commute entre 18et 40 kHz.

Tension directe à température stable 1,35 V

Idéal pour les topologies de correction du facteur de puissance (PFC)

La diode Rapid 2 commute entre 40et 100 kHz.

Faible charge de recouvrement inverse : rapport de tension directe pour performance BiC

Temps de récupération inverse réduit

Faibles pertes d'activation sur le commutateur d'amplification

Diode ultra-rapide 600 V/1 200 V à technologie de contrôle par émetteurs

Homologué selon la norme JEDEC

Bon comportement EMI

Faibles pertes de conduction

Mise en parallèle facile

Diodes et redresseurs, Infineon


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