Jonction au silicium Non Infineon, Simple, 30 A 1200 V, 2 broches, TO-220

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Code commande RS:
145-8584
Référence fabricant:
IDP30E120XKSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Configuration de diode

Simple

Courant direct maximum If

30A

Type de produit

Jonction au silicium

Sous type

Jonction au silicium

Type de montage

Traversant

Type de Boitier

TO-220

Nombre de broches

2

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm

102A

Tension inverse de crête répétitive Vrrm

1200V

Tension directe maximale Vf

2.15V

Dissipation de puissance maximum Pd

138W

Temps de recouvrement inverse crête trr

380ns

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

4.5 mm

Longueur

10.2mm

Normes/homologations

No

Hauteur

15.95mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
MY

Diodes contrôlées par des émetteurs à commutation, Infineon


Les diodes contrôlées par émetteurs à commutation, d'Infineon, regroupent les familles Rapid 1 et Rapid 2 ainsi que les diodes ultra-souples de 600 V/1 200 V. Les diodes fonctionnent dans diverses applications (télécommunications, systèmes d'alimentation sans coupure, soudure, c.a.-c.c.), et la version ultra-souple convient pour les applications à entraînement de moteur jusqu'à 30 kHz.

La diode Rapid 1 commute entre 18et 40 kHz.

Tension directe à température stable 1,35 V

Idéal pour les topologies de correction du facteur de puissance (PFC)

La diode Rapid 2 commute entre 40et 100 kHz.

Faible charge de recouvrement inverse : rapport de tension directe pour performance BiC

Temps de récupération inverse réduit

Faibles pertes d'activation sur le commutateur d'amplification

Diode ultra-rapide 600 V/1 200 V à technologie de contrôle par émetteurs

Homologué selon la norme JEDEC

Bon comportement EMI

Faibles pertes de conduction

Mise en parallèle facile

Diodes et redresseurs, Infineon


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