Jonction au silicium Non Infineon, Simple, 80 A 650 V, 3 broches, TO-247

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Code commande RS:
145-8929
Référence fabricant:
IDW40E65D2FKSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Configuration de diode

Simple

Type de produit

Jonction au silicium

Courant direct maximum If

80A

Sous type

Jonction au silicium

Type de montage

Traversant

Type de Boitier

TO-247

Nombre de broches

3

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm

250A

Tension directe maximale Vf

2.3V

Tension inverse de crête répétitive Vrrm

650V

Dissipation de puissance maximum Pd

180W

Temps de recouvrement inverse crête trr

83ns

Température d'utilisation maximum

175°C

Hauteur

21.1mm

Longueur

16.13mm

Normes/homologations

No

Largeur

5.21 mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
MY

Diodes contrôlées par des émetteurs à commutation, Infineon


Les diodes contrôlées par émetteurs à commutation, d'Infineon, regroupent les familles Rapid 1 et Rapid 2 ainsi que les diodes ultra-souples de 600 V/1 200 V. Les diodes fonctionnent dans diverses applications (télécommunications, systèmes d'alimentation sans coupure, soudure, c.a.-c.c.), et la version ultra-souple convient pour les applications à entraînement de moteur jusqu'à 30 kHz.

La diode Rapid 1 commute entre 18et 40 kHz.

Tension directe à température stable 1,35 V

Idéal pour les topologies de correction du facteur de puissance (PFC)

La diode Rapid 2 commute entre 40et 100 kHz.

Faible charge de recouvrement inverse : rapport de tension directe pour performance BiC

Temps de récupération inverse réduit

Faibles pertes d'activation sur le commutateur d'amplification

Diode ultra-rapide 600 V/1 200 V à technologie de contrôle par émetteurs

Homologué selon la norme JEDEC

Bon comportement EMI

Faibles pertes de conduction

Mise en parallèle facile

Diodes et redresseurs, Infineon


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