IGBT AEC-Q101 STMicroelectronics Double porte, 84 A, 650 V, 7 broches, HU3PAK 1 En surface
- Code commande RS:
- 285-638
- Référence fabricant:
- STGHU30M65DF2AG
- Marque:
- STMicroelectronics
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- Code commande RS:
- 285-638
- Référence fabricant:
- STGHU30M65DF2AG
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | IGBT | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 84A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 650V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 441W | |
| Nombre de transistors | 1 | |
| Type de Boitier | HU3PAK | |
| Configuration | Double porte | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 7 | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 2V | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | 20 V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | AEC-Q101 | |
| Hauteur | 3.6mm | |
| Longueur | 11.9mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit IGBT | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 84A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 650V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 441W | ||
Nombre de transistors 1 | ||
Type de Boitier HU3PAK | ||
Configuration Double porte | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 7 | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 2V | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 20 V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations AEC-Q101 | ||
Hauteur 3.6mm | ||
Longueur 11.9mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Ce dispositif STMicroelectronics est un IGBT développé à l'aide d'une structure de terrain avancée de grille de jonction propriétaire. Le dispositif fait partie des IGBT de la série M, qui représentent un équilibre optimal entre les performances et l'efficacité du système d'inverseur où la faible perte et la fonctionnalité de court-circuit sont essentielles. En outre, le coefficient de température VCE(sat) positif et la distribution étroite des paramètres se traduisent par un fonctionnement en parallèle plus sûr.
Température de jonction maximale TJ = 175 °C
6 μs de temps de résistance minimum aux courts-circuits
Distribution serrée des paramètres
Parallèlement plus sûr
Faible résistance thermique
Diode antiparallèle souple et très rapide de récupération
Excellentes performances de commutation grâce à la broche kelvin de pilotage supplémentaire
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