IGBT AEC-Q101 STMicroelectronics Double porte, 84 A, 650 V, 7 broches, HU3PAK 1 Surface
- Code commande RS:
- 285-638
- Référence fabricant:
- STGHU30M65DF2AG
- Marque:
- STMicroelectronics
Prix dégressifs sur quantité
Sous-total (1 unité)*
2,36 €
HT
2,83 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 595 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 2,36 € |
| 10 - 99 | 2,12 € |
| 100 + | 2,02 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 285-638
- Référence fabricant:
- STGHU30M65DF2AG
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | IGBT | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 84A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 650V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 441W | |
| Nombre de transistors | 1 | |
| Configuration | Double porte | |
| Type de Boitier | HU3PAK | |
| Type de montage | Surface | |
| Nombre de broches | 7 | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 2V | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | 20 V | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 3.6mm | |
| Normes/homologations | AEC-Q101 | |
| Longueur | 11.9mm | |
| Largeur | 14.1 mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit IGBT | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 84A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 650V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 441W | ||
Nombre de transistors 1 | ||
Configuration Double porte | ||
Type de Boitier HU3PAK | ||
Type de montage Surface | ||
Nombre de broches 7 | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 2V | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 20 V | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 3.6mm | ||
Normes/homologations AEC-Q101 | ||
Longueur 11.9mm | ||
Largeur 14.1 mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Ce dispositif STMicroelectronics est un IGBT développé à l'aide d'une structure de terrain avancée de grille de jonction propriétaire. Le dispositif fait partie des IGBT de la série M, qui représentent un équilibre optimal entre les performances et l'efficacité du système d'inverseur où la faible perte et la fonctionnalité de court-circuit sont essentielles. En outre, le coefficient de température VCE(sat) positif et la distribution étroite des paramètres se traduisent par un fonctionnement en parallèle plus sûr.
Température de jonction maximale TJ = 175 °C
6 μs de temps de résistance minimum aux courts-circuits
Distribution serrée des paramètres
Parallèlement plus sûr
Faible résistance thermique
Diode antiparallèle souple et très rapide de récupération
Excellentes performances de commutation grâce à la broche kelvin de pilotage supplémentaire
Nos clients ont également consulté
- IGBT 650 V 7 broches
- MOSFET de puissance N STMicroelectronics 26 A 650 V N HU3PAK STHU65N1 AEC-Q101
- MOSFET de puissance STMicroelectronics 60 A 650 V HU3PAK SCT0 AEC-Q101
- MOSFET de puissance N STMicroelectronics 60 A 650 V Enrichissement HU3PAK Sct AEC-Q101
- MOSFET Canal N canal Type N STMicroelectronics 51 A 650 V N HU3PAK STHU65 AEC-Q101
- IGBT 650 V 7 broches
- IGBT 650 V 7 broches
- IGBT 650 V 7 broches