IGBT, STGHU30M65DF2AG, , 84 A, 650 V, HU3PAK, 7 broches

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285-638
Référence fabricant:
STGHU30M65DF2AG
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Courant continu de Collecteur maximum

84 A

Tension Collecteur Emetteur maximum

650 V

Tension Grille Emetteur maximum

±20V

Dissipation de puissance maximum

441 W

Nombre de transistors

1

Type de boîtier

HU3PAK

Configuration

Porte double

Type de montage

CMS

Nombre de broches

7

Ce dispositif de STMicroelectronics est un IGBT développé à l'aide d'une structure propriétaire avancée d'arrêt de champ de la grille de tranchée. Le dispositif fait partie des IGBT de la série M, qui représentent un équilibre optimal entre les performances et l'efficacité du système d'inverseur où la faible perte et la fonctionnalité de court-circuit sont essentielles. En outre, le coefficient de température positif de VCE(sat) et la distribution serrée des paramètres permettent un fonctionnement en parallèle plus sûr.

Température de jonction maximale TJ = 175 °C
6 μs de durée minimale de résistance aux courts-circuits
Distribution serrée des paramètres
Mise en parallèle plus sûre
Faible résistance thermique
Diode antiparallèle à récupération douce et très rapide
Excellentes performances de commutation grâce à la broche kelvin de pilotage supplémentaire

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