IGBT AEC-Q101 STMicroelectronics Double porte, 84 A, 650 V, 7 broches, HU3PAK 1 Surface

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285-638
Référence fabricant:
STGHU30M65DF2AG
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

IGBT

Courant continu de Collecteur maximum lc

84A

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

650V

Dissipation de puissance maximum Pd

441W

Nombre de transistors

1

Type de Boitier

HU3PAK

Configuration

Double porte

Type de montage

Surface

Nombre de broches

7

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

2V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

20 V

Température d'utilisation maximum

175°C

Hauteur

3.6mm

Normes/homologations

AEC-Q101

Longueur

11.9mm

Standard automobile

AEC-Q101

Ce dispositif STMicroelectronics est un IGBT développé à l'aide d'une structure de terrain avancée de grille de jonction propriétaire. Le dispositif fait partie des IGBT de la série M, qui représentent un équilibre optimal entre les performances et l'efficacité du système d'inverseur où la faible perte et la fonctionnalité de court-circuit sont essentielles. En outre, le coefficient de température VCE(sat) positif et la distribution étroite des paramètres se traduisent par un fonctionnement en parallèle plus sûr.

Température de jonction maximale TJ = 175 °C

6 μs de temps de résistance minimum aux courts-circuits

Distribution serrée des paramètres

Parallèlement plus sûr

Faible résistance thermique

Diode antiparallèle souple et très rapide de récupération

Excellentes performances de commutation grâce à la broche kelvin de pilotage supplémentaire

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