IGBT AEC-Q101 STMicroelectronics, 87 A, 650 V, 3 broches, À-247 LL 1 Traversant
- Code commande RS:
- 330-470
- Référence fabricant:
- STGWA30M65DF2AG
- Marque:
- STMicroelectronics
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 2,10 € |
| 10 - 99 | 1,93 € |
| 100 - 499 | 1,88 € |
| 500 - 999 | 1,84 € |
| 1000 + | 1,79 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 330-470
- Référence fabricant:
- STGWA30M65DF2AG
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | IGBT | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 87A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 650V | |
| Nombre de transistors | 1 | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 441W | |
| Type de Boitier | À-247 LL | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | 20 V | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 2V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 19.92mm | |
| Hauteur | 21mm | |
| Normes/homologations | AEC-Q101 | |
| Largeur | 15.8 mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit IGBT | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 87A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 650V | ||
Nombre de transistors 1 | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 441W | ||
Type de Boitier À-247 LL | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 20 V | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 2V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 19.92mm | ||
Hauteur 21mm | ||
Normes/homologations AEC-Q101 | ||
Largeur 15.8 mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Statut RoHS : Exempté
- Pays d'origine :
- CN
L'IGBT de STMicroelectronics a été développé à l'aide d'une structure propriétaire avancée d'arrêt de champ de la grille de tranchée. Le dispositif fait partie des IGBT de la série M, qui représentent un équilibre optimal entre les performances et l'efficacité du système d'inverseur où la faible perte et la fonctionnalité de court-circuit sont essentielles.
Distribution serrée des paramètres
Faible résistance thermique
Diode antiparallèle à récupération douce et très rapide