IGBT STMicroelectronics, canal N, 50 A, 650 V, 1 MHz, 3 broches , À-247 LL, montage Traversant

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201-4418
Référence fabricant:
STGWA30HP65FB2
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

IGBT

Courant continu de Collecteur maximum lc

50A

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

650V

Dissipation de puissance maximum Pd

167W

Type de Boitier

À-247 LL

Type de montage

Traversant

Type de canal

N

Nombre de broches

3

Vitesse de découpage

1MHz

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

±30 V

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

2.1V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Longueur

15.9mm

Hauteur

5.1mm

Largeur

21.1mm

Normes/homologations

RoHS

Série

STG

Standard automobile

Non

L'arrêt de champ de la grille de tranchée STMicroelectronics, 650 V, 30 A, IGBT haut débit série HB2 dans un boîtier à fils longs TO-247, est doté d'un coefficient de température VCE(sat) positif.

Courant de queue minimisé

Distribution de paramètres serrée

Résistance thermique faible

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