IGBT, STGH30H65DFB-2AG, , 60 A, 650 V, H2PAK-2

Voir l’ensemble des IGBT

Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*

1 932,00 €

HT

2 318,00 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 01 janvier 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
1000 +1,932 €1 932,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:
248-4893
Référence fabricant:
STGH30H65DFB-2AG
Marque:
STMicroelectronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

STMicroelectronics

Courant continu de Collecteur maximum

60 A

Tension Collecteur Emetteur maximum

650 V

Tension Grille Emetteur maximum

20V

Nombre de transistors

1

Dissipation de puissance maximum

260 W

Type de boîtier

H2PAK-2

Configuration

Simple

Le produit STMicroelectronics est un IGBT développé en utilisant une structure d'arrêt de champ de grille de tranchée propriétaire de pointe. Le dispositif fait partie de la nouvelle série HB d'IGBT, qui représente un compromis optimal entre la perte de conduction et de commutation pour maximiser l'efficacité de n'importe quel convertisseur de fréquence. En outre, un coefficient de température VCEsat légèrement positif et une distribution étroite de paramètres permettent un fonctionnement en parallèle plus sûr.

Certifié AEC-Q101
Série à commutation haute vitesse
Parallélisation plus sûre
Distribution de paramètres étroite
Faible résistance thermique
Diode antiparallèle de récupération souple et très rapide

Nos clients ont également consulté