IGBT, IKP20N60TXKSA1, , 41 A, 600 V, A-220, 3 broches, Simple
- Code commande RS:
- 170-2258
- Référence fabricant:
- IKP20N60TXKSA1
- Marque:
- Infineon
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97,95 €
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,959 € | 97,95 € |
| 100 - 200 | 1,764 € | 88,20 € |
| 250 + | 1,666 € | 83,30 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 170-2258
- Référence fabricant:
- IKP20N60TXKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 41 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 600 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±20V | |
| Dissipation de puissance maximum | 166 W | |
| Nombre de transistors | 1 | |
| Type de boîtier | A-220 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de canal | N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Dimensions | 10.36 x 4.57 x 15.95mm | |
| Température de fonctionnement minimum | -40 °C | |
| Température d'utilisation maximum | +175 °C | |
| Indice énergétique | 0.77mJ | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Courant continu de Collecteur maximum 41 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 600 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum ±20V | ||
Dissipation de puissance maximum 166 W | ||
Nombre de transistors 1 | ||
Type de boîtier A-220 | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de canal N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Dimensions 10.36 x 4.57 x 15.95mm | ||
Température de fonctionnement minimum -40 °C | ||
Température d'utilisation maximum +175 °C | ||
Indice énergétique 0.77mJ | ||
IGBT d Infineon
Infineon IGBT est un transistor TO-220 à montage traversant à canal N à 3 broches. Il est doté d'une intensité nominale de 41 A et d'une tension nominale de 600 V d'IGBT conducteur inverse de 3e génération, optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Son comportement de commutation souple permet de meilleures performances et un meilleur comportement IEM. Avec l'aide de ce transistor, d'excellentes performances peuvent être obtenues à moindre coût.
Caractéristiques et avantages
• économique
• Rendement élevé
Faibles émissions IEM
Faibles pertes de commutation
Chute de V ce (sat) la plus basse pour réduire les pertes de conduction
La dissipation de puissance maximale est de 166 W.
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -40 et 175 °C.
Dissipation de puissance réduite
Capacité de courant de surtension
Diode à récupération très douce et rapide et contrôlée par émetteur parallèle
• Rendement élevé
Faibles émissions IEM
Faibles pertes de commutation
Chute de V ce (sat) la plus basse pour réduire les pertes de conduction
La dissipation de puissance maximale est de 166 W.
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -40 et 175 °C.
Dissipation de puissance réduite
Capacité de courant de surtension
Diode à récupération très douce et rapide et contrôlée par émetteur parallèle
Applications
• Appareils ménagers
Poêles à cuisson par induction
• Entraînements industriels
Fours à micro-ondes
Cuisinières à riz
• Onduleur
• Soudage
Poêles à cuisson par induction
• Entraînements industriels
Fours à micro-ondes
Cuisinières à riz
• Onduleur
• Soudage
Certifications
ANSI/ESD S20.20:2014
BS EN 61340-5-1:2007
BS EN 61340-5-1:2007