IGBT Infineon, canal Type N, 41 A, 600 V, 3 broches , TO-220, montage Traversant
- Code commande RS:
- 170-2371
- Référence fabricant:
- IKP20N60TXKSA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | 1,959 € | 19,59 € |
| 20 - 40 | 1,861 € | 18,61 € |
| 50 - 90 | 1,783 € | 17,83 € |
| 100 - 240 | 1,666 € | 16,66 € |
| 250 + | 1,568 € | 15,68 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 170-2371
- Référence fabricant:
- IKP20N60TXKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | IGBT | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 41A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 600V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 166W | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de canal | Type N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 2.05V | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | 20 V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Série | TrenchStop | |
| Normes/homologations | Pb-Free, JEDEC, RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Energie | 0.77mJ | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit IGBT | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 41A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 600V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 166W | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de canal Type N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 2.05V | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 20 V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Série TrenchStop | ||
Normes/homologations Pb-Free, JEDEC, RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
Energie 0.77mJ | ||
La technologie IGBT TRENCHTOP™ d'Infineon entraîne une amélioration significative des performances statiques et dynamiques du dispositif en raison de la combinaison d'une cellule de tranchée supérieure et du concept de champ limité (FS : Field Stop). La combinaison d'un IGBT avec une diode à récupération progressive commandée par émetteur minimise encore plus les pertes à la mise sous tension. Le plus haut rendement est atteint grâce au meilleur compromis entre les pertes de commutation et de conduction
Chute de V ce(sat) plus faible pour réduire les pertes de conduction
Faibles pertes de commutation
Capacité de commutation parallèle facile grâce à un coefficient de température positif dans V ce(sat)
Diode commandée par émetteur antiparallèle à récupération rapide et très progressive
Grande résistance, comportement stable en température
Faibles émissions d'IEM
Faible charge de grille
Distribution de paramètres très serrée
Avantages :
Rendement le plus élevé : conduction et pertes de commutation faibles
Gamme complète en 600 V et 1 200 V pour une plus grande flexibilité de conception
Fiabilité du dispositif élevée
Applications :
UPS
inverseurs solaires
Principaux appareils ménagers
Soudage
Climatisation
Entraînements industriels
Autres applications de commutation difficiles
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