IGBT Non VishayCanal-Type N, 3 broches, TO-263 Surface
- Code commande RS:
- 180-8025
- Référence fabricant:
- SUM70060E-GE3
- Marque:
- Vishay
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,976 € | 14,88 € |
| 50 - 120 | 2,678 € | 13,39 € |
| 125 - 245 | 2,38 € | 11,90 € |
| 250 - 495 | 2,174 € | 10,87 € |
| 500 + | 1,934 € | 9,67 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 180-8025
- Référence fabricant:
- SUM70060E-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | IGBT | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 375W | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Type de montage | Surface | |
| Type de canal | Type N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | 20 V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Série | ThunderFET | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Longueur | 15.875mm | |
| Energie | 125mJ | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit IGBT | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 375W | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Type de montage Surface | ||
Type de canal Type N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 20 V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Série ThunderFET | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Longueur 15.875mm | ||
Energie 125mJ | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistor MOSFET de Vishay
Le transistor MOSFET de Vishay est un boîtier TO-263-3 à canal N, un nouveau produit d'âge avec une tension source de drain de 100 V et une tension source de grille maximale de 20 V. Il est doté d'une résistance drain-source de 5,6 mohm à une tension de grille-source de 10 V. Le transistor MOSFET est doté d'une dissipation de puissance maximale de 375 W. Ce produit a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.
Caractéristiques et avantages
Composant sans halogène et plomb (Pb)
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 175 °C.
Transistor MOSFET de puissance TrenchFET
Applications
• alimentations à découpage c.a./c.c.
Gestion de batterie
Inverseurs c.c./c.a.
• Convertisseurs c.c./c.c.
• Eclairage
• Commutateurs d'entraînement de moteur
Redresseur synchrone
• Les onduleurs
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