IGBT Littelfuse, canal Type N, 20 A, 365 V, 6 μs, 3 broches , TO-263, montage En surface
- Code commande RS:
- 171-0128
- Référence fabricant:
- NGB8207ABNT4G
- Marque:
- Littelfuse
Actuellement indisponible
Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.
- Code commande RS:
- 171-0128
- Référence fabricant:
- NGB8207ABNT4G
- Marque:
- Littelfuse
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Littelfuse | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 20A | |
| Type de produit | IGBT | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 365V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 165W | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Type de montage | En surface | |
| Type de canal | Type N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Vitesse de découpage | 6μs | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 2.2V | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | 15 V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 4.83mm | |
| Longueur | 10.29mm | |
| Série | Ignition IGBT | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Energie | 500mJ | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Littelfuse | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 20A | ||
Type de produit IGBT | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 365V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 165W | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Type de montage En surface | ||
Type de canal Type N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Vitesse de découpage 6μs | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 2.2V | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 15 V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 4.83mm | ||
Longueur 10.29mm | ||
Série Ignition IGBT | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Energie 500mJ | ||
Standard automobile Non | ||
IGBT Discretes, ON Semi-conducteur
Transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) pour contrôle de moteur et autres applications de commutation haute intensité.
IGBT Discretes, ON Semi-conducteur
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.
Nos clients ont également consulté
- IGBT Littelfuse 20 A 6 μs TO-263, montage En surface
- IGBT STMicroelectronics 10 A 8 μs TO-263, montage En surface
- IGBT STMicroelectronics 25 A 8.4 μs TO-263, montage En surface
- IGBT Vishay 3 broches montage En surface
- IGBT onsemi 80 A 3 broches montage En surface
- IGBT STMicroelectronics 25 A 8.4 μs TO-252, montage En surface
- IGBT Fairchild Semiconductor 21 A 3 broches montage En surface
- IGBT Fairchild Semiconductor 46 A 3 broches montage En surface