IGBT, NGB8207ABNT4G, , 50 A, 365 V, D2PAK (TO-263), 3 broches, Simple
- Code commande RS:
- 171-0128
- Référence fabricant:
- NGB8207ABNT4G
- Marque:
- Littelfuse
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Prix pour l'unité (en bobine de 800)
1,052 €
HT
1,262 €
TTC
| Unité | Prix par unité | la bobine* |
| 800 + | 1,052 € | 841,60 € |
| *Prix donné à titre indicatif | ||
- Code commande RS:
- 171-0128
- Référence fabricant:
- NGB8207ABNT4G
- Marque:
- Littelfuse
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
IGBT Discretes, ON Semi-conducteur
Transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) pour contrôle de moteur et autres applications de commutation haute intensité.
IGBT Discretes, ON Semi-conducteur
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Courant continu de Collecteur maximum | 50 A |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 365 V |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±15V |
| Dissipation de puissance maximum | 165 W |
| Type de boîtier | D2PAK (TO-263) |
| Type de montage | CMS |
| Type de canal | N |
| Nombre de broches | 3 |
| Configuration du transistor | Simple |
| Dimensions | 10.29 x 9.65 x 4.83mm |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
| Température d'utilisation maximum | +175 °C |
- Code commande RS:
- 171-0128
- Référence fabricant:
- NGB8207ABNT4G
- Marque:
- Littelfuse