IGBT Non LittelfuseCanal-Type N, 20 A, 365 V 6 μs, 3 broches, TO-263 Surface
- Code commande RS:
- 805-1753
- Référence fabricant:
- NGB8207ABNT4G
- Marque:
- Littelfuse
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- Code commande RS:
- 805-1753
- Référence fabricant:
- NGB8207ABNT4G
- Marque:
- Littelfuse
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Littelfuse | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 20A | |
| Type de produit | IGBT | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 365V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 165W | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Type de montage | Surface | |
| Type de canal | Type N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Vitesse de découpage | 6μs | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 2.2V | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | 15 V | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Série | Ignition IGBT | |
| Longueur | 10.29mm | |
| Largeur | 15.88 mm | |
| Hauteur | 4.83mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Energie | 500mJ | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Littelfuse | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 20A | ||
Type de produit IGBT | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 365V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 165W | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Type de montage Surface | ||
Type de canal Type N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Vitesse de découpage 6μs | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 2.2V | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 15 V | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Série Ignition IGBT | ||
Longueur 10.29mm | ||
Largeur 15.88 mm | ||
Hauteur 4.83mm | ||
Standard automobile Non | ||
Energie 500mJ | ||
IGBT Discretes, ON Semi-conducteur
Transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) pour contrôle de moteur et autres applications de commutation haute intensité.
IGBT Discretes, ON Semi-conducteur
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