IGBT, NGB8207ABNT4G, , 50 A, 365 V, D2PAK (TO-263), 3 broches, Simple
- Code commande RS:
- 805-1753
- Référence fabricant:
- NGB8207ABNT4G
- Marque:
- Littelfuse
Sous-total (1 paquet de 5 unités)*
10,10 €
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 + | 2,02 € | 10,10 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 805-1753
- Référence fabricant:
- NGB8207ABNT4G
- Marque:
- Littelfuse
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Littelfuse | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 50 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 365 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±15V | |
| Dissipation de puissance maximum | 165 W | |
| Type de boîtier | D2PAK (TO-263) | |
| Type de montage | CMS | |
| Type de canal | N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Dimensions | 10.29 x 9.65 x 4.83mm | |
| Température d'utilisation maximum | +175 °C | |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Littelfuse | ||
Courant continu de Collecteur maximum 50 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 365 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum ±15V | ||
Dissipation de puissance maximum 165 W | ||
Type de boîtier D2PAK (TO-263) | ||
Type de montage CMS | ||
Type de canal N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Dimensions 10.29 x 9.65 x 4.83mm | ||
Température d'utilisation maximum +175 °C | ||
Température de fonctionnement minimum -55 °C | ||
IGBT Discretes, ON Semi-conducteur
Transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) pour contrôle de moteur et autres applications de commutation haute intensité.
IGBT Discretes, ON Semi-conducteur
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.