IGBT Vishay, canal Type P, 3 broches , TO-252, montage En surface
- Code commande RS:
- 180-7411
- Référence fabricant:
- SUD08P06-155L-GE3
- Marque:
- Vishay
Sous-total (1 bobine de 2000 unités)*
606,00 €
HT
728,00 €
TTC
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2000 + | 0,303 € | 606,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 180-7411
- Référence fabricant:
- SUD08P06-155L-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | IGBT | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 20.8W | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Type de montage | En surface | |
| Type de canal | Type P | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | 20 V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 2.38mm | |
| Normes/homologations | RoHS-compliant | |
| Longueur | 6.22mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit IGBT | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 20.8W | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Type de montage En surface | ||
Type de canal Type P | ||
Nombre de broches 3 | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 20 V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 2.38mm | ||
Normes/homologations RoHS-compliant | ||
Longueur 6.22mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET de Vishay
Le transistor MOSFET de Vishay est un boîtier TO-252-3 à canal P, qui est un nouveau produit d'âge avec une tension source de drain de 60 V et une tension source de grille maximale de Il est doté d'une résistance drain-source de 52 Mohm à une tension de grille-source de 10 V. Le transistor MOSFET est doté d'une dissipation de puissance maximale de 20,8 W. Il peut être utilisé dans les commutateurs de charge pour les appareils portables. Ce produit a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.
Caractéristiques et avantages
Composant sans halogène et plomb (Pb)
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 150 °C.
Transistor MOSFET de puissance TrenchFET
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