IGBT Non VishayCanal-Type P, 3 broches, TO-252 Surface

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Code commande RS:
180-7411
Référence fabricant:
SUD08P06-155L-GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de produit

IGBT

Dissipation de puissance maximum Pd

20.8W

Type de Boitier

TO-252

Type de montage

Surface

Type de canal

Type P

Nombre de broches

3

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

20 V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

2.38mm

Normes/homologations

RoHS-compliant

Longueur

6.22mm

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET de Vishay


Le transistor MOSFET de Vishay est un boîtier TO-252-3 à canal P, qui est un nouveau produit d'âge avec une tension source de drain de 60 V et une tension source de grille maximale de Il est doté d'une résistance drain-source de 52 Mohm à une tension de grille-source de 10 V. Le transistor MOSFET est doté d'une dissipation de puissance maximale de 20,8 W. Il peut être utilisé dans les commutateurs de charge pour les appareils portables. Ce produit a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.

Caractéristiques et avantages


Composant sans halogène et plomb (Pb)

Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 150 °C.

Transistor MOSFET de puissance TrenchFET

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