IGBT Non VishayCanal-Type P, 3 broches, TO-252 Surface
- Code commande RS:
- 180-8117
- Référence fabricant:
- SUD08P06-155L-GE3
- Marque:
- Vishay
Prix dégressifs sur quantité
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 0,871 € | 17,42 € |
| 100 - 180 | 0,845 € | 16,90 € |
| 200 - 480 | 0,802 € | 16,04 € |
| 500 - 980 | 0,767 € | 15,34 € |
| 1000 + | 0,723 € | 14,46 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 180-8117
- Référence fabricant:
- SUD08P06-155L-GE3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | IGBT | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 20.8W | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Type de montage | Surface | |
| Type de canal | Type P | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | 20 V | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS-compliant | |
| Longueur | 6.22mm | |
| Hauteur | 2.38mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit IGBT | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 20.8W | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Type de montage Surface | ||
Type de canal Type P | ||
Nombre de broches 3 | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 20 V | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS-compliant | ||
Longueur 6.22mm | ||
Hauteur 2.38mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET de Vishay
Le transistor MOSFET de Vishay est un boîtier TO-252-3 à canal P, qui est un nouveau produit d'âge avec une tension source de drain de 60 V et une tension source de grille maximale de Il est doté d'une résistance drain-source de 52 Mohm à une tension de grille-source de 10 V. Le transistor MOSFET est doté d'une dissipation de puissance maximale de 20,8 W. Il peut être utilisé dans les commutateurs de charge pour les appareils portables. Ce produit a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.
Caractéristiques et avantages
Composant sans halogène et plomb (Pb)
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 150 °C.
Transistor MOSFET de puissance TrenchFET
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