IGBT STMicroelectronics, canal N, 40 A, 650 V, 1 MHz, 3 broches , TO-220FP, montage Traversant

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Code commande RS:
204-9871
Référence fabricant:
STGF20H65DFB2
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

IGBT

Courant continu de Collecteur maximum lc

40A

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

650V

Dissipation de puissance maximum Pd

45W

Type de Boitier

TO-220FP

Type de montage

Traversant

Type de canal

N

Nombre de broches

3

Vitesse de découpage

1MHz

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

2.1V

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

20 V

Température d'utilisation maximum

175°C

Hauteur

4.6mm

Largeur

16.4mm

Normes/homologations

RoHS

Série

STG

Longueur

10.4mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN
La série STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 représente une évolution de la structure Advanced propriétaire d'arrêt de champ de la porte à tranchée. Les performances de la série HB2 sont optimisées en termes de conduction, grâce à un meilleur comportement VCE(sat) à de faibles valeurs de courant, ainsi qu'en termes d'énergie de commutation réduite.

Température de jonction maximale : TJ = 175 °C.

Faible VCE(sat) = 1,65 V (typ.) @ IC = 20 A.

Diode à récupération souple et très rapide

Courant de queue minimisé

Distribution de paramètres serrée

Résistance thermique faible

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