IGBT, STGF20H65DFB2, , 40 A, 650 V, TO-220FP, 3 broches

Code commande RS:: 204-9871
Référence fabricant:: STGF20H65DFB2
Marque:: STMicroelectronics

IGBT, STGF20H65DFB2, , 40 A, 650 V, TO-220FP, 3 broches

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Ajouté

Prix pour l'unité (en tube de 50)

1,288 €

1,546 €

Unité	Prix par unité	le tube*
50 - 50	1,288 €	64,40 €
100 - 200	1,213 €	60,65 €
250 - 450	1,181 €	59,05 €
500 - 950	1,15 €	57,50 €
1000 +	1,122 €	56,10 €
*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 204-9871
Référence fabricant:: STGF20H65DFB2
Marque:: STMicroelectronics

Documentation technique

Datasheet - STGF20H65DFB2

Législation et Conformité

Pays d'origine :: CN

Détail produit

La série STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 représente une évolution de la structure Advanced propriétaire d'arrêt de champ de la porte à tranchée. Les performances de la série HB2 sont optimisées en termes de conduction, grâce à un meilleur comportement VCE(sat) à de faibles valeurs de courant, ainsi qu'en termes d'énergie de commutation réduite.

Température de jonction maximale : TJ = 175 °C.
Faible VCE(sat) = 1,65 V (typ.) @ IC = 20 A.
Diode à récupération souple et très rapide
Courant de queue minimisé
Distribution de paramètres serrée
Résistance thermique faible

Caractéristiques techniques

Attribut	Valeur
Courant continu de Collecteur maximum	40 A
Tension Collecteur Emetteur maximum	650 V
Tension Grille Emetteur maximum	±20V
Nombre de transistors	1
Dissipation de puissance maximum	45 W
Type de boîtier	TO-220FP
Nombre de broches	3

Code commande RS:: 204-9871
Référence fabricant:: STGF20H65DFB2
Marque:: STMicroelectronics

Datasheet - STGF20H65DFB2

IGBT, STGF20H65DFB2, , 40 A, 650 V, TO-220FP, 3 broches

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