IGBT Non STMicroelectronicsCanal-Type N, 115 A, 650 V 1 MHz, 4 broches, TO-247 Traversant
- Code commande RS:
- 206-6063
- Référence fabricant:
- STGW75H65DFB2-4
- Marque:
- STMicroelectronics
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 5,657 € | 169,71 € |
| 60 + | 5,374 € | 161,22 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 206-6063
- Référence fabricant:
- STGW75H65DFB2-4
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 115A | |
| Type de produit | IGBT | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 650V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 357W | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de canal | Type N | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Vitesse de découpage | 1MHz | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | 20 V | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 2V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Hauteur | 5.1mm | |
| Série | STG | |
| Longueur | 15.9mm | |
| Largeur | 21.1 mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 115A | ||
Type de produit IGBT | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 650V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 357W | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de canal Type N | ||
Nombre de broches 4 | ||
Vitesse de découpage 1MHz | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 20 V | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 2V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Hauteur 5.1mm | ||
Série STG | ||
Longueur 15.9mm | ||
Largeur 21.1 mm | ||
Standard automobile Non | ||
La série STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 représente une évolution de la structure Advanced propriétaire d'arrêt de champ de la porte à tranchée. Les performances de la série HB2 sont optimisées en termes de conduction, grâce à un meilleur comportement VCE(sat) à de faibles valeurs de courant, ainsi qu'en termes d'énergie de commutation réduite.
Température de jonction maximale : TJ = 175 °C.
Faible VCE(sat) = 1,55 V (typ.) @ IC = 75 A.
Diode à récupération souple et très rapide
Courant de queue minimisé
Distribution de paramètres serrée
Résistance thermique faible
Coefficient de température VCE(sat) positif
Excellentes performances de commutation grâce à la broche Kelvin supplémentaire