IGBT, STGW75H65DFB2-4, , 115 A, 650 V, A-247, 4 broches

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Code commande RS:
206-6063
Référence fabricant:
STGW75H65DFB2-4
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Courant continu de Collecteur maximum

115 A

Tension Collecteur Emetteur maximum

650 V

Tension Grille Emetteur maximum

±20V

Dissipation de puissance maximum

357 W

Nombre de transistors

1

Type de boîtier

A-247

Nombre de broches

4

La série STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 représente une évolution de la structure Advanced propriétaire d'arrêt de champ de la porte à tranchée. Les performances de la série HB2 sont optimisées en termes de conduction, grâce à un meilleur comportement VCE(sat) à de faibles valeurs de courant, ainsi qu'en termes d'énergie de commutation réduite.

Température de jonction maximale : TJ = 175 °C.
Faible VCE(sat) = 1,55 V (typ.) @ IC = 75 A.
Diode à récupération souple et très rapide
Courant de queue minimisé
Distribution de paramètres serrée
Résistance thermique faible
Coefficient de température VCE(sat) positif
Excellentes performances de commutation grâce à la broche Kelvin supplémentaire

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