IGBT Non InfineonCanal-Type N, 1500 A, 1.2 kV, 10 broches, PRIME3 Surface 2
- Code commande RS:
- 218-4323
- Référence fabricant:
- FF1500R12IE5BPSA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 1 | 599,59 € |
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 218-4323
- Référence fabricant:
- FF1500R12IE5BPSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 1500A | |
| Type de produit | IGBT | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 1.2kV | |
| Nombre de transistors | 2 | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 20mW | |
| Type de Boitier | PRIME3 | |
| Type de montage | Surface | |
| Type de canal | Type N | |
| Nombre de broches | 10 | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | 20 V | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 2.6V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 38.25mm | |
| Longueur | 247mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 1500A | ||
Type de produit IGBT | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 1.2kV | ||
Nombre de transistors 2 | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 20mW | ||
Type de Boitier PRIME3 | ||
Type de montage Surface | ||
Type de canal Type N | ||
Nombre de broches 10 | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 20 V | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 2.6V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 38.25mm | ||
Longueur 247mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Module IGBT double Infineon PrimePack avec technologie d'interconnexion TrenchStop IGBT5 et .XT. Il est doté d'une tension d'émetteur de collecteur de 1 200 V. Les modules IGBT à arrêt de champ et TrenchStop à canal N sont adaptés pour les applications de commutation rigide et de commutation douce telles que les convertisseurs haute puissance, les systèmes d'onduleur, les entraînements de moteur et les applications solaires.
Liaisons en cuivre pour des capacités de transport de courant élevées
Frittage de puces pour des capacités de cycle de puissance les plus élevées
Pertes totales réduites jusqu'à 20 %
Moins d'effort de refroidissement pour la même puissance de sortie
Permet d'augmenter les conditions de surcharge du système
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