Module IGBT, FP15R12W1T4BOMA1, , 28 A, 1200 V
- Code commande RS:
- 244-5385
- Référence fabricant:
- FP15R12W1T4BOMA1
- Marque:
- Infineon
Prix dégressifs sur quantité
Sous-total (1 plateau de 24 unités)*
906,264 €
HT
1 087,512 €
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Unité | Prix par unité | le plateau* |
|---|---|---|
| 24 - 24 | 37,761 € | 906,26 € |
| 48 + | 35,873 € | 860,95 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 244-5385
- Référence fabricant:
- FP15R12W1T4BOMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 28 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 1200 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | +/-20V | |
| Dissipation de puissance maximum | 130 W | |
| Nombre de transistors | 7 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Courant continu de Collecteur maximum 28 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 1200 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum +/-20V | ||
Dissipation de puissance maximum 130 W | ||
Nombre de transistors 7 | ||
The infineon IGBT module is suitable for auxiliary inverters, motor drives and air conditioning etc.
Electrical features
Low switching losses, low inductive design
Trench IGBT 3
VCEsat with positive temperature coefficient
Low VCEsat
Mechanical features
Al2O3 substrate with low thermal resistance
Compact design
Solder contact technology
Rugged mounting due to integrated mounting clamps
Low switching losses, low inductive design
Trench IGBT 3
VCEsat with positive temperature coefficient
Low VCEsat
Mechanical features
Al2O3 substrate with low thermal resistance
Compact design
Solder contact technology
Rugged mounting due to integrated mounting clamps