Module IGBT Non Infineon, 1.2 kV 7
- Code commande RS:
- 244-5385
- Référence fabricant:
- FP15R12W1T4BOMA1
- Marque:
- Infineon
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- Code commande RS:
- 244-5385
- Référence fabricant:
- FP15R12W1T4BOMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | Module IGBT | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 1.2kV | |
| Nombre de transistors | 7 | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 130W | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | 20 V | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 2.25V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 12mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Largeur | 33.8mm | |
| Série | FP15R12W1T4B | |
| Longueur | 62.8mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit Module IGBT | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 1.2kV | ||
Nombre de transistors 7 | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 130W | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 20 V | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 2.25V | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 12mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Largeur 33.8mm | ||
Série FP15R12W1T4B | ||
Longueur 62.8mm | ||
Standard automobile Non | ||
Module IGBT Infineon série FP15R12W1T4B, tension collecteur-émetteur de 1 200 V, dissipation de puissance de 130 W - FP15R12W1T4BOMA1
Ce module IGBT est un ensemble de semi-conducteurs de puissance conçu pour commuter et contrôler les charges c. c. haute tension dans l'électronique de puissance industrielle. Il offre une capacité de commutation contrôlée pour les environnements thermiques et électriques exigeants, fonctionnant sur une large plage de températures et conforme aux exigences RoHS.
Caractéristiques et avantages :
• La valeur nominale VCEO de 1 200 V permet une capacité de commutation haute tension
• La dissipation de puissance jusqu'à 130 W permet une gestion soutenue de la charge thermique
• La résistance de l'émetteur de grille jusqu'à 20 V prend en charge des marges de commande de grille robustes
• La saturation collecteur-émetteur de 2,25 V réduit les pertes de conduction
• Sept transistors permettent la commutation multi-dispositifs dans un seul boîtier
• La dissipation de puissance jusqu'à 130 W permet une gestion soutenue de la charge thermique
• La résistance de l'émetteur de grille jusqu'à 20 V prend en charge des marges de commande de grille robustes
• La saturation collecteur-émetteur de 2,25 V réduit les pertes de conduction
• Sept transistors permettent la commutation multi-dispositifs dans un seul boîtier
Applications
• Adapté aux étapes d'inverseur à entraînement motorisé industriel
• Utilisé avec les systèmes de conversion c.c.-c.c. haute tension
• Idéal pour la correction du facteur de puissance et les étapes de commutation douce
• Peut être utilisé pour les alimentations à découpage dans les services publics
• Utilisé pour les convertisseurs de traction et industriels à moyenne fréquence
• Utilisé avec les systèmes de conversion c.c.-c.c. haute tension
• Idéal pour la correction du facteur de puissance et les étapes de commutation douce
• Peut être utilisé pour les alimentations à découpage dans les services publics
• Utilisé pour les convertisseurs de traction et industriels à moyenne fréquence
À quelles températures ambiantes peut-il fonctionner de manière fiable?
Il fonctionne à des températures comprises entre -40 °C et 150 °C.
Comment le module répond-il aux restrictions en matière de substances dangereuses?
Il est fabriqué pour être conforme à la directive RoHS pour les matériaux soumis à des restrictions.
Quelles sont les considérations relatives à l'espace de montage externe?
Le boîtier mesure 33,8 x 62,8 x 12 mm pour l'encombrement et la planification de la hauteur.
Combien de commutateurs semi-conducteurs sont intégrés dans le boîtier?
La construction comprend sept transistors individuels.
À quelles performances de conduction peut-on s'attendre sous charge?
Attendez-vous à une tension de saturation collecteur-émetteur maximale de 2,25 V pendant la conduction.
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