Module IGBT Non Infineon, 1200 V 7
- Code commande RS:
- 244-5389
- Référence fabricant:
- FP25R12W2T4B11BOMA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le plateau* |
|---|---|---|
| 15 - 15 | 32,967 € | 494,51 € |
| 30 + | 31,317 € | 469,76 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 244-5389
- Référence fabricant:
- FP25R12W2T4B11BOMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | Module IGBT | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 1200V | |
| Nombre de transistors | 7 | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 175W | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 2.25V | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | 20 V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 51mm | |
| Hauteur | 12mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Largeur | 42.5 mm | |
| Série | FP25R12W2T4B11B | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit Module IGBT | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 1200V | ||
Nombre de transistors 7 | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 175W | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 2.25V | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 20 V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 51mm | ||
Hauteur 12mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Largeur 42.5 mm | ||
Série FP25R12W2T4B11B | ||
Standard automobile Non | ||
Le module Infineon IGBT offre un courant de collecteur de Peak nominal répétitif maximum de 50 A et un voltag de saturation de collecteur-émetteur maximum de 2,25 V, la tension de seuil de porte est de 6,4 V.
Courant de coupure collecteur-émetteur de 1 mA
Température dans des conditions de commutation de 150 °C.
Courant de fuite de l'émetteur de grille 400 nA
Capacité de transfert inverse NF
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