IGBT, BIDNW30N60H3, , 30 A, 600 V, TO-247N

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Code commande RS:
253-3503
Référence fabricant:
BIDNW30N60H3
Marque:
Bourns
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Marque

Bourns

Courant continu de Collecteur maximum

30 A

Tension Collecteur Emetteur maximum

600 V

Tension Grille Emetteur maximum

±20V

Dissipation de puissance maximum

230 W

Nombre de transistors

1

Type de boîtier

TO-247N

Configuration

Diode simple

Le transistor bipolaire à grille isolé (IGBT) de la marque Bourns combine la technologie d'une porte MOS et d'un transistor bipolaire afin de vous proposer un composant idéal pour les applications haute tension et haute intensité. Ce transistor utilise la technologie Trench-Gate Field-Stop pour un meilleur contrôle des caractéristiques dynamiques, ce qui se traduit par une tension de saturation de collecteur-émetteur (VCE(sat)) plus faible et moins de pertes de commutation.

600 V, 30 A, faible tension de saturation de l'émetteur-collecteur (VCE(sat))
Technologie Trench-Gate Field-Stop
Faible perte de commutation
Commutation rapide
Conforme à la directive RoHS