Références fabricant

Module transistor IGBT, IKP10N60TXKSA1, , 24 A, 600 V, PG-TO-220-3

Code commande RS:: 259-1529
Référence fabricant:: IKP10N60TXKSA1
Marque:: Infineon

Module transistor IGBT, IKP10N60TXKSA1, , 24 A, 600 V, PG-TO-220-3

Actuellement indisponible

Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.

Code commande RS:: 259-1529
Référence fabricant:: IKP10N60TXKSA1
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Courant continu de Collecteur maximum	24 A
	Tension Collecteur Emetteur maximum	600 V
	Tension Grille Emetteur maximum	±20V
	Nombre de transistors	3
	Dissipation de puissance maximum	110 W
	Type de boîtier	PG-TO-220-3

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Courant continu de Collecteur maximum 24 A
	Tension Collecteur Emetteur maximum 600 V
	Tension Grille Emetteur maximum ±20V
	Nombre de transistors 3
	Dissipation de puissance maximum 110 W
	Type de boîtier PG-TO-220-3

Datasheet - IKP10N60TXKSA1

Le pack duo à faible perte Trenchstop d'Infineon est doté d'une technologie d'arrêt de terrain avec une diode HE contrôlée par émetteur antiparallèle souple et rapide à récupération rapide. Il s'agit d'un IGBT3 d'arrêt de tranchée 600 V, 10 A à commutation intensive avec diode à roulement libre pleine valeur nominale dans un boîtier TO220, ce qui améliore de manière significative les performances statiques et dynamiques du dispositif, grâce à la combinaison du concept de cellule de tranchée et d'arrêt de terrain.

Rendement le plus élevé et faibles pertes de conduction et de commutation
Portefeuille complet en 600 V et 1 200 V pour plus de flexibilité de conception
Haute fiabilité de l'appareil
Faibles émissions EMI

Module transistor IGBT, IKP10N60TXKSA1, , 24 A, 600 V, PG-TO-220-3

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