Diode discrète hybride Non Infineon, 75 A, 650 V, 4 broches, PG-TO247-4-3 2 Traversant
- Code commande RS:
- 273-2993
- Référence fabricant:
- IKZA75N65SS5XKSA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 tube de 30 unités)*
179,70 €
HT
215,70 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 13 septembre 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 30 + | 5,99 € | 179,70 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 273-2993
- Référence fabricant:
- IKZA75N65SS5XKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 75A | |
| Type de produit | Diode discrète hybride | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 650V | |
| Nombre de transistors | 2 | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 395W | |
| Type de Boitier | PG-TO247-4-3 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 20.9mm | |
| Largeur | 15.7mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Hauteur | 4.9mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 75A | ||
Type de produit Diode discrète hybride | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 650V | ||
Nombre de transistors 2 | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 395W | ||
Type de Boitier PG-TO247-4-3 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 4 | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 20.9mm | ||
Largeur 15.7mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Hauteur 4.9mm | ||
Standard automobile Non | ||
La IGBT discrète d'Infineon avec diode Schottky en carbure de silicium présente des pertes de commutation ultra-faibles grâce à la combinaison de la technologie de diode TRENCHSTOP 5 et CoolSiC ainsi que du boîtier d'émetteur kelvin.
Efficacité maximale
Effort de refroidissement réduit
Densité de puissance accrue
Nos clients ont également consulté
- Diode discrète hybride Non Infineon 650 V PG-TO247-4-3 2 Traversant
- MOSFET N Infineon 38 A 650 V Enrichissement PG-TO247-4 CoolSiC
- MOSFET N Infineon 46 A 650 V Enrichissement PG-TO247-4 CoolSiC
- MOSFET N Infineon 83 A 650 V Enrichissement PG-TO247-4 CoolSiC
- MOSFET N Infineon 103 A 650 V Enrichissement PG-TO247-4 CoolSiC
- MOSFET N Infineon 75 A 750 V Enrichissement PG-TO247-4 CoolSiC
- MOSFET canal Type N Infineon 144 A 650 V Enrichissement PG-TO247-4 IMZA65 Non
- MOSFET canal Type N Infineon 53 A 650 V Enrichissement PG-TO247-4 IMZA65 Non