Diode discrète hybride Non Infineon, 75 A, 650 V, 4 broches, PG-TO247-4-3 2 Traversant

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Code commande RS:
273-2994
Référence fabricant:
IKZA75N65SS5XKSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Courant continu de Collecteur maximum lc

75A

Type de produit

Diode discrète hybride

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

650V

Dissipation de puissance maximum Pd

395W

Nombre de transistors

2

Type de Boitier

PG-TO247-4-3

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

4

Température minimum de fonctionnemen

-40°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Hauteur

4.9mm

Longueur

20.9mm

Largeur

15.7mm

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

La IGBT discrète d'Infineon avec diode Schottky en carbure de silicium présente des pertes de commutation ultra-faibles grâce à la combinaison de la technologie de diode TRENCHSTOP 5 et CoolSiC ainsi que du boîtier d'émetteur kelvin.

Efficacité maximale

Effort de refroidissement réduit

Densité de puissance accrue

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