IGBT Non onsemiCanal-Type N, 40 A, 600 V 130 ns, 3 broches, TO-3PF Traversant
- Code commande RS:
- 759-9257P
- Référence fabricant:
- FGAF40N60UFTU
- Marque:
- onsemi
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- Code commande RS:
- 759-9257P
- Référence fabricant:
- FGAF40N60UFTU
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 40A | |
| Type de produit | IGBT | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 600V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 100W | |
| Type de Boitier | TO-3PF | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de canal | Type N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Vitesse de découpage | 130ns | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 2.3V | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | ±20 V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 23 mm | |
| Hauteur | 5.45mm | |
| Longueur | 26.5mm | |
| Normes/homologations | AEC, RoHS | |
| Série | UF | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 40A | ||
Type de produit IGBT | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 600V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 100W | ||
Type de Boitier TO-3PF | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de canal Type N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Vitesse de découpage 130ns | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 2.3V | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO ±20 V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 23 mm | ||
Hauteur 5.45mm | ||
Longueur 26.5mm | ||
Normes/homologations AEC, RoHS | ||
Série UF | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
IGBT discrets, Fairchild Semiconductor
Transistors bipolaires à porte isolée et modules, Fairchild Semiconductor
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.