IGBT STMicroelectronics, canal N, 20 A, 600 V, 1 MHz, 3 broches , TO-263, montage En surface
- Code commande RS:
- 795-8975
- Référence fabricant:
- STGB10NC60KDT4
- Marque:
- STMicroelectronics
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 795-8975
- Référence fabricant:
- STGB10NC60KDT4
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | IGBT | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 20A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 600V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 65W | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Type de montage | En surface | |
| Type de canal | N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Vitesse de découpage | 1MHz | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 2.5V | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | ±20 V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Largeur | 9.35mm | |
| Hauteur | 4.6mm | |
| Longueur | 10.4mm | |
| Série | STGx10NC60KD | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit IGBT | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 20A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 600V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 65W | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Type de montage En surface | ||
Type de canal N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Vitesse de découpage 1MHz | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 2.5V | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO ±20 V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Largeur 9.35mm | ||
Hauteur 4.6mm | ||
Longueur 10.4mm | ||
Série STGx10NC60KD | ||
Standard automobile Non | ||
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes et modules, STMicroelectronics
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.
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