IGBT, GT30J121, Canal-N, 30 A 600 V TO-3P 1MHz, 3 broches Simple

  • Code commande RS 796-5058
  • Référence fabricant GT30J121
  • Marque Toshiba
Documentation technique
Législation et Conformité
Déclaration de conformité RoHS
Détail produit

IGBT Discretes Toshiba

IGBT Discretes et modules, Toshiba

Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.

Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Courant continu de Collecteur maximum 30 A
Tension Collecteur Emetteur maximum 600 V
Tension Grille Emetteur maximum ±20V
Dissipation de puissance maximum 170 W
Type de boîtier TO-3P
Type de montage Traversant
Type de canal N
Nombre de broches 3
Vitesse de découpage 1MHz
Configuration du transistor Simple
Longueur 15.9mm
Largeur 4.8mm
Hauteur 20mm
Dimensions 15.9 x 4.8 x 20mm
Température d'utilisation maximum +150 °C
18 pour livraison dès le lendemain (stock France)
7 Sous 1 jour(s) (stock Europe)
Prix pour la pièce
3,04
HT
3,65
TTC
Unité
Prix par unité
1 - 24
3,04 €
25 - 49
2,89 €
50 - 199
2,74 €
200 - 399
2,44 €
400 +
2,29 €
Options de conditionnement :