Références fabricant

IGBT onsemi, canal N, 80 A, 600 V, 1 MHz, 3 broches , TO-3PF, montage Traversant

Code commande RS:: 807-0763
Référence fabricant:: FGAF40N60SMD
Marque:: onsemi

IGBT onsemi, canal N, 80 A, 600 V, 1 MHz, 3 broches , TO-3PF, montage Traversant

Prix dégressifs sur quantité

Consulter les options de prix de gros

Sous-total (2 unités, dans un pack de 2)*

10,08 €

12,10 €

Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €

En stock

Plus 156 unité(s) expédiée(s) à partir du 05 octobre 2026

Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité	Prix par unité	le paquet*
2 - 18	5,04 €	10,08 €
20 +	4,345 €	8,69 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 807-0763
Référence fabricant:: FGAF40N60SMD
Marque:: onsemi

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Courant continu de Collecteur maximum lc	80A
	Type de produit	IGBT
	Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo	600V
	Dissipation de puissance maximum Pd	115W
	Type de Boitier	TO-3PF
	Type de montage	Traversant
	Type de canal	N
	Nombre de broches	3
	Vitesse de découpage	1MHz
	Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum	1.9V
	Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO	20 V
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Normes/homologations	RoHS
	Série	Field Stop
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Courant continu de Collecteur maximum lc 80A
	Type de produit IGBT
	Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 600V
	Dissipation de puissance maximum Pd 115W
	Type de Boitier TO-3PF
	Type de montage Traversant
	Type de canal N
	Nombre de broches 3
	Vitesse de découpage 1MHz
	Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 1.9V
	Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 20 V
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Normes/homologations RoHS
	Série Field Stop
	Standard automobile Non

FGAF40N60SMD, 600V 40A Field Stop IGBT Data Sheet

IGBT discrets, Fairchild Semiconductor

Transistors bipolaires à porte isolée et modules, Fairchild Semiconductor

Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.

Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.