IGBT, FGAF40N60SMD, , 80 A, 600 V, TO-3PF, 3 broches, Simple

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Code commande RS:
807-0763
Référence fabricant:
FGAF40N60SMD
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Courant continu de Collecteur maximum

80 A

Tension Collecteur Emetteur maximum

600 V

Tension Grille Emetteur maximum

±20V

Dissipation de puissance maximum

115 W

Type de boîtier

TO-3PF

Type de montage

Traversant

Type de canal

N

Nombre de broches

3

Vitesse de découpage

1MHz

Configuration du transistor

Simple

Dimensions

15.7 x 3.2 x 26.7mm

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

IGBT discrets, Fairchild Semiconductor



Transistors bipolaires à porte isolée et modules, Fairchild Semiconductor


Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.

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