Module IGBT InfineonCanal-N Pont triphasé, 75 A, 1200 V, 28 broches, ECONO2 Circuit imprimé

Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif semi-conducteur de puissance à trois bornes, connu pour son haut rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques d'entraînement de grille simples des transistors MOSFET avec la capacité de courant élevé et de tension de saturation faible des transistors bipolaires en combinant un transistor de grille isolé pour l'entrée de commande et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un seul dispositif.