Module IGBT InfineonCanal-Type N Pont triphasé, 75 A, 1200 V, 28 broches, ECONO2 Circuit imprimé
- Code commande RS:
- 838-6860
- Référence fabricant:
- FS75R12KT4B15BOSA1
- Marque:
- Infineon
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 838-6860
- Référence fabricant:
- FS75R12KT4B15BOSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 75A | |
| Type de produit | Module IGBT | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 1200V | |
| Configuration | Pont triphasé | |
| Type de Boitier | ECONO2 | |
| Type de montage | Circuit imprimé | |
| Type de canal | Type N | |
| Nombre de broches | 28 | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | 20 V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 17mm | |
| Largeur | 45mm | |
| Longueur | 107.5mm | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 75A | ||
Type de produit Module IGBT | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 1200V | ||
Configuration Pont triphasé | ||
Type de Boitier ECONO2 | ||
Type de montage Circuit imprimé | ||
Type de canal Type N | ||
Nombre de broches 28 | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 20 V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 17mm | ||
Largeur 45mm | ||
Longueur 107.5mm | ||
Modules IGBT, Infineon
Infineon
TM
TMTMTM
IGBT Discret & Modules, Infineon
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif semi-conducteur de puissance à trois bornes, connu pour son haut rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques d'entraînement de grille simples des transistors MOSFET avec la capacité de courant élevé et de tension de saturation faible des transistors bipolaires en combinant un transistor de grille isolé pour l'entrée de commande et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un seul dispositif.
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