Module IGBT InfineonCanal-Type N Pont triphasé, 75 A, 1200 V, 28 broches, ECONO2 Montage sur circuit imprimé
- Code commande RS:
- 124-8785
- Référence fabricant:
- FS75R12KT4B15BOSA1
- Marque:
- Infineon
Actuellement indisponible
Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.
- Code commande RS:
- 124-8785
- Référence fabricant:
- FS75R12KT4B15BOSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | Module IGBT | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 75A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 1200V | |
| Type de Boitier | ECONO2 | |
| Configuration | Pont triphasé | |
| Type de montage | Montage sur circuit imprimé | |
| Type de canal | Type N | |
| Nombre de broches | 28 | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | 20 V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 107.5mm | |
| Largeur | 45mm | |
| Hauteur | 17mm | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit Module IGBT | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 75A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 1200V | ||
Type de Boitier ECONO2 | ||
Configuration Pont triphasé | ||
Type de montage Montage sur circuit imprimé | ||
Type de canal Type N | ||
Nombre de broches 28 | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 20 V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 107.5mm | ||
Largeur 45mm | ||
Hauteur 17mm | ||
- Pays d'origine :
- CN
Modules IGBT, Infineon
Infineon
TM
TMTMTM
IGBT Discret & Modules, Infineon
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif semi-conducteur de puissance à trois bornes, connu pour son haut rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques d'entraînement de grille simples des transistors MOSFET avec la capacité de courant élevé et de tension de saturation faible des transistors bipolaires en combinant un transistor de grille isolé pour l'entrée de commande et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un seul dispositif.
Nos clients ont également consulté
- Module IGBT InfineonCanal-Type N Pont triphasé 1200 V ECONO2 Montage sur circuit imprimé
- Module IGBT Non InfineonCanal-Type N 1200 V 1 MHz ECONO2 Serre-joints
- Module IGBT Non InfineonCanal-Type N 1200 V 1 MHz ECONO2 Serre-joints
- IGBT Non Infineon Pont triphasé 1200 V, Module Panneau
- IGBT Non InfineonCanal-Type N Émetteur commun 1200 V Module 6 Panneau
- IGBT Non InfineonCanal-Type N Demi-pont 1700 V 2 Borne à vis
- IGBT Non InfineonCanal-Type N Demi-pont 1200 V, Module 2 Borne à vis
- IGBT Non InfineonCanal-Type N Demi-pont 1200 V, PrimePACKTM2 2 Borne à vis