IGBT à grille en tranchée et champ d'arrêt STMicroelectronics, canal N, 30 A, 600 V, 3 broches , TO-247, montage

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860-7450
Référence fabricant:
STGW30H60DFB
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

IGBT à grille en tranchée et champ d'arrêt

Courant continu de Collecteur maximum lc

30A

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

600V

Dissipation de puissance maximum Pd

260W

Type de Boitier

TO-247

Type de montage

Traversant

Type de canal

N

Nombre de broches

3

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

±20 V

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

2V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Hauteur

20.15mm

Longueur

15.75mm

Normes/homologations

RoHS

Série

HB

Largeur

5.15mm

Standard automobile

Non

Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics


IGBT Discretes et modules, STMicroelectronics


Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.

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