IGBT Non InfineonCanal-Type N, 45 A, 600 V, 3 broches, TO-247 Traversant

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Code commande RS:
897-7185
Référence fabricant:
IKW30N60TFKSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

IGBT

Courant continu de Collecteur maximum lc

45A

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

600V

Dissipation de puissance maximum Pd

187W

Type de Boitier

TO-247

Type de montage

Traversant

Type de canal

Type N

Nombre de broches

3

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

2.05V

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

20 V

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Série

TrenchStop

Normes/homologations

JEDEC, Pb-Free, RoHS

Standard automobile

Non

Energie

2.1mJ

Transistors IGBT Infineon TrenchStop, 600 et 650 V


Une gamme de transistors IGBT d'Infineon, avec des tensions nominales du collecteur-émetteur de 600 et 650 V avec la technologie TrenchStop™. La gamme comprend des circuits avec diode intégrée haute vitesse, antiparallèle à récupération rapide.

• Plage de tensions de l'émetteur-collecteur 600 à 650 V

• VCEsat très faible

• Pertes de mise hors tension faibles

• Courant d'extrémité court

• IEM faible

• Température de jonction maximale 175 °C

IGBT Discretes et modules, Infineon


Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.

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