JFET, TF412ST5G, Canal-N, 30 V Simple SOT-883, 3 broches Simple
- Code commande RS:
- 163-0319
- Référence fabricant:
- TF412ST5G
- Marque:
- onsemi
Sous-total (1 bobine de 8000 unités)*
536,00 €
HT
640,00 €
TTC
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 8000 + | 0,067 € | 536,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 163-0319
- Référence fabricant:
- TF412ST5G
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de canal | N | |
| Idss Drain-source Courant de coupure | 1.2 to 3mA | |
| Tension Drain Source maximum | 30 V | |
| Tension Drain Grille maximum | -30V | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Configuration | Simple | |
| Type de montage | CMS | |
| Type de boîtier | SOT-883 | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Capacitance Drain Grille | 4pF | |
| Capacitance Source Grille ON | 4pF | |
| Dimensions | 1.08 x 0.68 x 0.41mm | |
| Longueur | 1.08mm | |
| Hauteur | 0.41mm | |
| Dissipation de puissance maximum | 100 mW | |
| Largeur | 0.68mm | |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de canal N | ||
Idss Drain-source Courant de coupure 1.2 to 3mA | ||
Tension Drain Source maximum 30 V | ||
Tension Drain Grille maximum -30V | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Configuration Simple | ||
Type de montage CMS | ||
Type de boîtier SOT-883 | ||
Nombre de broches 3 | ||
Capacitance Drain Grille 4pF | ||
Capacitance Source Grille ON 4pF | ||
Dimensions 1.08 x 0.68 x 0.41mm | ||
Longueur 1.08mm | ||
Hauteur 0.41mm | ||
Dissipation de puissance maximum 100 mW | ||
Largeur 0.68mm | ||
Température d'utilisation maximum +150 °C | ||
- Pays d'origine :
- MY
Transistor JFET canal N, ON Semiconductor
Transistors JFET
Une gamme de dispositifs à semi-conducteurs discrets JFET (transistor à effet de champ à jonction) et HEMT/HFET (transistor à haute mobilité d'électrons/jonction hétéro-bipolaire FET).