JFET onsemiCanal-Type N, Canal-JFET, 15 V Simple 14.5 to 24 mA, 3 broches CP
- Code commande RS:
- 792-5177
- Référence fabricant:
- 2SK932-24-TB-E
- Marque:
- onsemi
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | 0,365 € | 9,13 € |
| 100 - 225 | 0,314 € | 7,85 € |
| 250 - 475 | 0,273 € | 6,83 € |
| 500 - 975 | 0,24 € | 6,00 € |
| 1000 + | 0,218 € | 5,45 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 792-5177
- Référence fabricant:
- 2SK932-24-TB-E
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | JFET | |
| Sous type | JFET | |
| Type de canal | Type N | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 15V | |
| Configuration | Simple | |
| Type de montage | Surface | |
| Type de Boitier | CP | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Courant de source du drain Ids | 14.5 to 24 mA | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -15 V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 200mW | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 1.5 mm | |
| Hauteur | 1.1mm | |
| Longueur | 2.9mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Série | 2SK932 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit JFET | ||
Sous type JFET | ||
Type de canal Type N | ||
Tension Drain Source maximum Vds 15V | ||
Configuration Simple | ||
Type de montage Surface | ||
Type de Boitier CP | ||
Nombre de broches 3 | ||
Courant de source du drain Ids 14.5 to 24 mA | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -15 V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 200mW | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 1.5 mm | ||
Hauteur 1.1mm | ||
Longueur 2.9mm | ||
Normes/homologations No | ||
Série 2SK932 | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor JFET canal N, ON Semiconductor
Transistors JFET
Une gamme de dispositifs à semi-conducteurs discrets JFET (transistor à effet de champ à jonction) et HEMT/HFET (transistor à haute mobilité d'électrons/jonction hétéro-bipolaire FET).
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