Mémoire flash, 128Mbit, 16M x 8 bits, Quadruple SPI, WSON, 8 broches
- Code commande RS:
- 181-1563
- Référence fabricant:
- S25FL128LAGNFI010
- Marque:
- Infineon
En stock à partir du 06/05/2025, livraison sous 3 jour(s)
Uniquement disponible en livraison standard
Ajouté
Prix pour l'unité (en plateau de 490)
3,841 €
HT
4,609 €
TTC
| Unité | Prix par unité | le plateau* |
| 490 + | 3,841 € | 1 882,09 € |
| *Prix donné à titre indicatif | ||
- Code commande RS:
- 181-1563
- Référence fabricant:
- S25FL128LAGNFI010
- Marque:
- Infineon
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
La mémoire vive ferroélectrique (F-RAM) de 2 Mbits est logique
Organisé en 256 K ´ 8
Lecture/écriture haute endurance 10 billions (1014)
Conservation des données 121 ans
NODELAY ® écrit
Processus ferroélectrique Advanced haute
Interface de périphérique série (SPI) très rapide
Fréquence jusqu'à 33 MHz
Remplacement direct du matériel pour la mémoire Flash série et l'EEPROM
Prend en charge le mode SPI 0 (0, 0) et le mode 3 (1, 1)
Schéma de protection en écriture sophistiqué
Protection matérielle à l'aide de la broche Write Protect (WP)
Protection logicielle à l'aide de l'instruction Write Disable
Protection de bloc logiciel pour 1/4, 1/2 ou toute la matrice
ID du dispositif
ID du fabricant et ID du produit
Faible consommation électrique
Courant actif de 3 mA à 33 MHz
Courant de veille de 400 A.
Courant de mode veille 12⁄A
Fonctionnement basse tension : VDD = 2 à 3,6 V.
Température étendue : -40 à +105 °C.
Boîtier plat double sans câble (DFN) fin à 8 broches
Organisé en 256 K ´ 8
Lecture/écriture haute endurance 10 billions (1014)
Conservation des données 121 ans
NODELAY ® écrit
Processus ferroélectrique Advanced haute
Interface de périphérique série (SPI) très rapide
Fréquence jusqu'à 33 MHz
Remplacement direct du matériel pour la mémoire Flash série et l'EEPROM
Prend en charge le mode SPI 0 (0, 0) et le mode 3 (1, 1)
Schéma de protection en écriture sophistiqué
Protection matérielle à l'aide de la broche Write Protect (WP)
Protection logicielle à l'aide de l'instruction Write Disable
Protection de bloc logiciel pour 1/4, 1/2 ou toute la matrice
ID du dispositif
ID du fabricant et ID du produit
Faible consommation électrique
Courant actif de 3 mA à 33 MHz
Courant de veille de 400 A.
Courant de mode veille 12⁄A
Fonctionnement basse tension : VDD = 2 à 3,6 V.
Température étendue : -40 à +105 °C.
Boîtier plat double sans câble (DFN) fin à 8 broches
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Taille mémoire | 128Mbit |
| Type d'interface | Quadruple SPI |
| Type de boîtier | WSON |
| Nombre de broches | 8 |
| Configuration | 16M x 8 bits |
| Type de montage | CMS |
| Type de cellule | NOR |
| Tension d'alimentation de fonctionnement minimum | 2,7 V |
| Tension d'alimentation fonctionnement maximum | 3,6 V |
| Organisation des blocs | Symétrique |
| Longueur | 5.28mm |
| Hauteur | 1.9mm |
| Largeur | 5.28mm |
| Dimensions | 5.28 x 5.28 x 1.9mm |
| Standard automobile | AEC-Q100 |
| Série | S25FL |
| Nombre de bits par mot | 8bit |
| Temps d'accès aléatoire maximum | 8ns |
| Température de fonctionnement minimum | -40 °C |
| Nombre de mots | 16M |
| Température d'utilisation maximum | +85 °C |