Mémoire flash, Quadruple SPI NOR, 128 Mo Infineon 8 ns, 8 broches, WSON

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Code commande RS:
181-1563
Référence fabricant:
S25FL128LAGNFI010
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Taille de la mémoire

128Mo

Type de produit

Mémoire flash

Type d'interface

Quadruple SPI

Type de Boitier

WSON

Nombre de broches

8

Fréquence d'horloge maximum

133MHz

Type de montage

Surface

Type de cellule

NOR

Tension d'alimentation maximum

3.6V

Tension d'alimentation minimum

2.7V

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Température d'utilisation maximum

85°C

Hauteur

1.9mm

Longueur

5.28mm

Normes/homologations

No

Nombre de mots

16M

Standard automobile

AEC-Q100

Nombre de bits par mot

8

Temps d'accès aléatoire maximum

8ns

Série

S25FL128L

La mémoire vive ferroélectrique (F-RAM) de 2 Mbits est logique

Organisé en 256 K x 8

Lecture/écriture haute endurance 10 billions (1014)

Conservation des données 121 ans

NODELAY ® écrit

Processus ferroélectrique Advanced haute

Interface de périphérique série (SPI) très rapide

Fréquence jusqu'à 33 MHz

Remplacement direct du matériel pour la mémoire Flash série et l'EEPROM

Prend en charge le mode SPI 0 (0, 0) et le mode 3 (1, 1)

Schéma de protection en écriture sophistiqué

Protection matérielle à l'aide de la broche Write Protect (WP)

Protection logicielle à l'aide de l'instruction Write Disable

Protection de bloc logiciel pour 1/4, 1/2 ou toute la matrice

ID du dispositif

ID du fabricant et ID du produit

Faible consommation électrique

Courant actif de 3 mA à 33 MHz

Courant de veille de 400 A.

Courant de mode veille 12⁄A

Fonctionnement basse tension : VDD = 2 à 3,6 V.

Température étendue : -40 à +105 °C.

Boîtier plat double sans câble (DFN) fin à 8 broches

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