Mémoire flash, Quadruple SPI NOR, 128 Mo Infineon 8 ns, 8 broches, WSON
- Code commande RS:
- 181-1593
- Référence fabricant:
- S25FL128LAGNFI010
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 3 - 27 | 1,847 € | 5,54 € |
| 30 - 72 | 1,703 € | 5,11 € |
| 75 - 147 | 1,557 € | 4,67 € |
| 150 - 297 | 1,443 € | 4,33 € |
| 300 + | 1,32 € | 3,96 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 181-1593
- Référence fabricant:
- S25FL128LAGNFI010
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Taille de la mémoire | 128Mo | |
| Type de produit | Mémoire flash | |
| Type d'interface | Quadruple SPI | |
| Type de Boitier | WSON | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Fréquence d'horloge maximum | 133MHz | |
| Type de montage | Surface | |
| Type de cellule | NOR | |
| Tension d'alimentation minimum | 2.7V | |
| Tension d'alimentation maximum | 3.6V | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 85°C | |
| Hauteur | 1.9mm | |
| Longueur | 5.28mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Nombre de bits par mot | 8 | |
| Nombre de mots | 16M | |
| Série | S25FL128L | |
| Standard automobile | AEC-Q100 | |
| Temps d'accès aléatoire maximum | 8ns | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Taille de la mémoire 128Mo | ||
Type de produit Mémoire flash | ||
Type d'interface Quadruple SPI | ||
Type de Boitier WSON | ||
Nombre de broches 8 | ||
Fréquence d'horloge maximum 133MHz | ||
Type de montage Surface | ||
Type de cellule NOR | ||
Tension d'alimentation minimum 2.7V | ||
Tension d'alimentation maximum 3.6V | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 85°C | ||
Hauteur 1.9mm | ||
Longueur 5.28mm | ||
Normes/homologations No | ||
Nombre de bits par mot 8 | ||
Nombre de mots 16M | ||
Série S25FL128L | ||
Standard automobile AEC-Q100 | ||
Temps d'accès aléatoire maximum 8ns | ||
La mémoire vive ferroélectrique (F-RAM) de 2 Mbits est logique
Organisé en 256 K x 8
Lecture/écriture haute endurance 10 billions (1014)
Conservation des données 121 ans
NODELAY ® écrit
Processus ferroélectrique Advanced haute
Interface de périphérique série (SPI) très rapide
Fréquence jusqu'à 33 MHz
Remplacement direct du matériel pour la mémoire Flash série et l'EEPROM
Prend en charge le mode SPI 0 (0, 0) et le mode 3 (1, 1)
Schéma de protection en écriture sophistiqué
Protection matérielle à l'aide de la broche Write Protect (WP)
Protection logicielle à l'aide de l'instruction Write Disable
Protection de bloc logiciel pour 1/4, 1/2 ou toute la matrice
ID du dispositif
ID du fabricant et ID du produit
Faible consommation électrique
Courant actif de 3 mA à 33 MHz
Courant de veille de 400 A.
Courant de mode veille 12⁄A
Fonctionnement basse tension : VDD = 2 à 3,6 V.
Température étendue : -40 à +105 °C.
Boîtier plat double sans câble (DFN) fin à 8 broches