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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Type de produit	Mémoire flash
	Taille de la mémoire	128Mo
	Type d'interface	SPI, CFI
	Type de Boitier	SOIC
	Nombre de broches	8
	Type de montage	Surface
	Type de cellule	NOR
	Tension d'alimentation maximum	2V
	Tension d'alimentation minimum	1.7V
	Température minimum de fonctionnement	-40°C
	Température d'utilisation maximum	85°C
	Hauteur	1.9mm
	Normes/homologations	RoHS
	Longueur	5.28mm
	Nombre de bits par mot	8
	Nombre de mots	16M
	Série	S25Fl128

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	Marque Infineon
	Type de produit Mémoire flash
	Taille de la mémoire 128Mo
	Type d'interface SPI, CFI
	Type de Boitier SOIC
	Nombre de broches 8
	Type de montage Surface
	Type de cellule NOR
	Tension d'alimentation maximum 2V
	Tension d'alimentation minimum 1.7V
	Température minimum de fonctionnement -40°C
	Température d'utilisation maximum 85°C
	Hauteur 1.9mm
	Normes/homologations RoHS
	Longueur 5.28mm
	Nombre de bits par mot 8
	Nombre de mots 16M
	Série S25Fl128

Datasheet S25FS128SAGMFI100

Pays d'origine :: US

Densité

S25FS128S-128 Mbits (16 Mo)

S25FS256S-256 Mbits (32 Mo)

Interface périphérique série (SPI)

Polarité d'horloge SPI et modes de phase 0 et 3

Option de double débit de données (DDR)

Adresse étendue : options d'adresse 24 ou 32 bits

Sous-ensemble de commande série et encombrement compatible avec les familles SPI S25FL-A, S25FL-K, S25FL-P et S25FL-S

Sous-ensemble de commandes d'E/S multiples et empreinte compatible avec les familles SPI S25FL-P et S25FL-S

Lecture

Commandes : normale, rapide, E/S double, E/S quadruple, DDR quadruple

E/S

Modes : Burst Wrap, Continu (XIP), QPI

Paramètres Flash détectables en série (SFDP) et interface Flash commune (CFI), pour les informations de configuration

Programme

Buffer de programmation de page de 256 ou 512 octets

Suspension et reprise du programme

Génération automatique de code de correction d'erreur ECC interne avec correction d'erreur un bits

Effacer

Options de secteur hybride

Jeu physique de huit secteurs de 4 Ko et d'un secteur de 32 Ko au dessus ou au bas de l'espace d'adresse avec tous les secteurs restants de 64 Ko ou

Jeu physique de huit secteurs de 4 Ko et d'un secteur de 224 Ko au dessus ou au bas de l'espace d'adresse avec tous les secteurs restants de 256 Ko

Options de secteur uniforme

Blocs uniformes de 64 Ko ou 256 Ko pour le logiciel

compatibilité avec les dispositifs à densité plus élevée et futurs

Suspension et reprise de l'effacement

Evaluation de l'état d'effacement

100 000 cycles d'effacement de programme, minimum

20 ans de conservation de données, minimum

Caractéristiques de sécurité

Matrice d'OTP (One-Time Program) de 1 024 octets

Protection contre les blocs :

Embouts de registre d'état pour contrôler la protection contre

programme ou efface une gamme contiguë de secteurs

Options de commande de matériel et de logiciel

Protection secteur avancée (ASP)

Protection secteur individuelle contrôlée par code d'amorçage ou mot de passe

Option pour le contrôle par mot de passe de l'accès en lecture

Technologie

Technologie Cypress MirrorBit® 65 nm avec EclipseTM

Architecture.

Tension d'alimentation

1,7 à 2 V

Boîtiers (tous sans plomb)

SOIC 8 fils 208 mil (SOC008) - FS128S uniquement

WSON 6 x 5 mm (WND008) - FS128S uniquement

WSON 6 x 8 mm (WNH008)

SOIC 300 mil à 16 fils (SO3016 - FS256S uniquement)

BGA-24 6 x 8 mm

Encombrement 5 x 5 billes (FAB024)

Encombrement 4 x 6 billes (FAC024)

Matrice connue pour être bonne et matrice connue pour être testée

Mémoire flash, SPI, CFI NOR, 128 Mo Infineon, 8 broches, SOIC

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