Mémoire flash, CFI NOR, 64 Mo Infineon 70 ns, 48 broches, BGA
- Code commande RS:
- 193-8826
- Référence fabricant:
- S29GL064S70BHI030
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 paquet de 5 unités)*
17,57 €
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 + | 3,514 € | 17,57 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 193-8826
- Référence fabricant:
- S29GL064S70BHI030
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Taille de la mémoire | 64Mo | |
| Type de produit | Mémoire flash | |
| Type d'interface | CFI | |
| Type de Boitier | BGA | |
| Nombre de broches | 48 | |
| Type de montage | Surface | |
| Type de cellule | NOR | |
| Tension d'alimentation maximum | 3.6V | |
| Tension d'alimentation minimum | 2.7V | |
| Type de timing | Asynchrone | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 85°C | |
| Longueur | 8.15mm | |
| Hauteur | 0.84mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | AEC-Q100 | |
| Nombre de bits par mot | 8 | |
| Courant d'alimentation | 50mA | |
| Nombre de mots | 8K | |
| Temps d'accès aléatoire maximum | 70ns | |
| Série | S29GL064S | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Taille de la mémoire 64Mo | ||
Type de produit Mémoire flash | ||
Type d'interface CFI | ||
Type de Boitier BGA | ||
Nombre de broches 48 | ||
Type de montage Surface | ||
Type de cellule NOR | ||
Tension d'alimentation maximum 3.6V | ||
Tension d'alimentation minimum 2.7V | ||
Type de timing Asynchrone | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 85°C | ||
Longueur 8.15mm | ||
Hauteur 0.84mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile AEC-Q100 | ||
Nombre de bits par mot 8 | ||
Courant d'alimentation 50mA | ||
Nombre de mots 8K | ||
Temps d'accès aléatoire maximum 70ns | ||
Série S29GL064S | ||
La famille de dispositifs à densité moyenne S29GL-S est une mémoire Flash à alimentation simple de 3 V fabriquée à l'aide de la technologie Mirrorbite de 65 nm.
Le S29GL064S est un dispositif de 64 Mo organisé en 4 194 304 mots ou 8 388 608 octets. En fonction du numéro de modèle, les dispositifs sont dotés d'un bus de données de 16 bits de large uniquement, ou d'un bus de données de 16 bits de large qui peut également fonctionner comme un bus de données de 8 bits de large à l'aide de l'entrée BYTE#.
Les dispositifs peuvent être programmés dans le système hôte ou dans les programmateurs EPROM standard. Temps d'accès aussi rapide que 70 ns disponibles. Les offres de boîtiers incluent les TSOP 48 broches, les TSOP 56 broches, les BGA 48 billes à pas fin et les BGA enrichis 64 billes, en fonction du numéro de modèle. Chaque dispositif est doté de commandes d'activation de circuit (CE#), d'activation d'écriture (WE#) et d'activation de sortie (OE#) séparées. Chaque dispositif ne nécessite qu'une seule alimentation de 3 V pour les fonctions de lecture et d'écriture. En plus d'une entrée Vcc, une fonction de programme accéléré haute tension (ACC) est prise en charge par une tension accrue sur l'entrée WP#/ACC ou ACC. Cette fonction est destinée à faciliter la production de systèmes. Les commandes sont écrites sur le dispositif à l'aide d'une temporisation d'écriture de microprocesseur standard. Les cycles d'écriture permettent également de verrouiller en interne les adresses et les données nécessaires pour les opérations de programmation et d'effacement.
L'architecture d'effacement de secteur permet aux secteurs de mémoire d'être effacés et reprogrammés sans affecter le contenu des données d'autres secteurs. Le dispositif est entièrement effacé lors de l'expédition de l'usine.
La Advanced Sector Protection offre plusieurs niveaux de protection de secteur, qui peuvent désactiver le programme et effacer les opérations dans certains secteurs.
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