Mémoire flash, CFI, 512 Mo Infineon 110 ns, 64 broches, BGA

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Code commande RS:
193-8913
Référence fabricant:
S29GL512T11FHIV20
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

Mémoire flash

Taille de la mémoire

512Mo

Type d'interface

CFI

Type de Boitier

BGA

Nombre de broches

64

Type de montage

Surface

Tension d'alimentation maximum

3.6V

Tension d'alimentation minimum

2.7V

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Température d'utilisation maximum

85°C

Longueur

13mm

Normes/homologations

RoHS

Hauteur

1mm

Nombre de mots

64M

Série

S29GL512

Temps d'accès aléatoire maximum

110ns

Nombre de bits par mot

8

Technologie MirrorBit Eclipse 64 nm

Alimentation simple (VCC) pour lecture / programmation / effacement (2,7 à 3,6 V)

Fonction d'E/S polyvalente

Large plage de tensions d'E/S (VIO) : 1,65 V à VCC

Bus de données x8/x16

Lecture de page asynchrone de 32 octets

Buffer de programmation de 512 octets

Programmation dans octets

Un seul mot et plusieurs programmes sur les mêmes options de mot

Vérification et correction d'erreurs automatiques (ECC) ECC matériel interne avec correction d'erreur à un seul bit

Effacement de secteur

Secteurs uniformes de 128 ko

Commandes de suspension et de reprise pour les opérations de programmation et d'effacement

Registre d'état, sondage de données et méthodes de broches Prêt/Busy pour déterminer l'état du périphérique

Protection secteur avancée (ASP)

Méthodes de protection volatiles et non volatiles pour chaque secteur

Matrice de programme unique (OTP) de 2 048 octets séparée

Quatre régions verrouillables (SSR0 - SSR3)

SSR0 est verrouillé en usine

SSR3 est la protection par mot de passe de lecture

Tableau de paramètres d'interface Flash commune (CFI)

Plage de températures / classe :

Industrie (-40 °C à +85 °C)

Industrial Plus (-40 °C à +105 °C)

Extension (-40 à +125 °C)

100 000 cycles de programmation/effacement

20 ans de conservation des données፤

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