SRAM Infineon 4 Mo SOJ à 36 broches moulées/TSOP II à 44 broches 44 broches

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Code commande RS:
273-7352
Référence fabricant:
CY7C1049G30-10VXI
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

SRAM

Taille de la mémoire

4Mo

Configuration

512K x 8 bits

Nombre de mots

512K

Nombre de bits par mot

8

Temps d'accès aléatoire maximum

10ns

Largeur de bus d'adresse

19bit

Fréquence d'horloge maximum

100MHz

Tension d'alimentation minimum

500mV

Type de timing

Asynchrone

Tension d'alimentation maximum

6V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Type de Boitier

SOJ à 36 broches moulées/TSOP II à 44 broches

Nombre de broches

44

Température d'utilisation maximum

150°C

Série

CY7C1049G / CY7C1049GE

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

La RAM statique d'Infineon est un dispositif de RAM statique rapide CMOS hautes performances avec ECC intégré. Ce dispositif inclut une broche ERR qui signale une détection d'erreur et un événement de correction pendant un cycle de lecture. Les écritures de données sont effectuées en affirmant que les entrées d'activation de puce et d'activation d'écriture sont faibles, tout en fournissant les données sur les broches IO 0 à IO 7 et l'adresse sur les broches A0 à A18.

Haute vitesse

Faibles courants actifs et en veille

Détection et correction d'erreur 1 bit

Entrées et sorties compatibles TTL

ECC intégré pour la correction d'erreur à un seul bit

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