MOSFET N Infineon 62 A 200 V, TO-263 HEXFET
- Code commande RS:
- 257-9431
- Référence fabricant:
- IRFS4227TRLPBF
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 2,045 € | 4,09 € |
| 20 - 48 | 1,825 € | 3,65 € |
| 50 - 98 | 1,695 € | 3,39 € |
| 100 - 198 | 1,575 € | 3,15 € |
| 200 + | 1,47 € | 2,94 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 257-9431
- Référence fabricant:
- IRFS4227TRLPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 62A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 200V | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 26mΩ | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 330W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 70nC | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 62A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 200V | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage En surface | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 26mΩ | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 330W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 70nC | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
La série IRFS d'Infineon est un commutateur PDP à mosfet de puissance HEXFET à canal n simple 200 V dans un boîtier D2 Pak.
Technologie de processus avancée
Paramètres clés optimisés pour le maintien PDP, la récupération d'énergie et les applications de commutateur de passage
Faible valeur nominale d'impulsion E pour réduire la puissance
Dissipation dans les applications de maintien de la PDP, de récupération d'énergie et de commutateur de passage
Faible QG pour une réponse rapide
Haute capacité de courant de crête répétitif pour
Fonctionnement fiable
Temps de chute et de montée courts pour une commutation rapide
Température de jonction de fonctionnement de 175 °C pour une meilleure robustesse
Capacité d'avalanche répétitive pour plus de robustesse et de fiabilité
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