MOSFET Infineon canal N, D2PAK 180 A 100 V

Le MOSFET de puissance HEXFET d'Infineon est optimisé pour une commande de niveau logique, un RDS très faible à 4,5 V VGS, il est utilisé pour la commande de moteurs à courant continu, le redressement synchrone à haut rendement dans les SMPS, l'alimentation sans interruption, la commutation de puissance à haute vitesse, les circuits à commutation dure et à haute fréquence.

R*Q supérieur à 45 V VGS
Meilleure robustesse de la grille, de l'avalanche et de la dynamique dV/dt
Capacité et aire de sécurité en avalanche entièrement caractérisées
Amélioration de la capacité dV/dt et dI/dt des diodes de corps
Sans plomb