MOSFET canal N Infineon 180 A 100 V, TO-263 HEXFET
- Code commande RS:
- 257-5840
- Référence fabricant:
- IRLS4030TRLPBF
- Marque:
- Infineon
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (2 unités, dans un pack de 2)*
9,38 €
HT
11,26 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 02 mars 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 4,69 € | 9,38 € |
| 20 - 48 | 4,22 € | 8,44 € |
| 50 - 98 | 3,94 € | 7,88 € |
| 100 - 198 | 3,665 € | 7,33 € |
| 200 + | 3,425 € | 6,85 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 257-5840
- Référence fabricant:
- IRLS4030TRLPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 180A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | Circuit imprimé | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 4.3mΩ | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 180A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage Circuit imprimé | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 4.3mΩ | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Le MOSFET de puissance HEXFET d'Infineon est optimisé pour une commande de niveau logique, un RDS très faible à 4,5 V VGS, il est utilisé pour la commande de moteurs à courant continu, le redressement synchrone à haut rendement dans les SMPS, l'alimentation sans interruption, la commutation de puissance à haute vitesse, les circuits à commutation dure et à haute fréquence.
R*Q supérieur à 45 V VGS
Meilleure robustesse de la grille, de l'avalanche et de la dynamique dV/dt
Capacité et aire de sécurité en avalanche entièrement caractérisées
Amélioration de la capacité dV/dt et dI/dt des diodes de corps
Sans plomb
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Infineon 180 A 100 V, TO-263 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 180 A 100 V Enrichissement TO-263 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 180 A 40 V TO-263 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 17 A 100 V, TO-263 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 88 A 100 V, TO-263 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 64 A 55 V, TO-263 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 195 A 60 V, TO-263 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 24 A 200 V, TO-263 HEXFET
