MOSFET canal N Infineon 180 A 100 V, TO-263 HEXFET

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Code commande RS:
257-5574
Référence fabricant:
IRLS4030TRLPBF
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

180A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Série

HEXFET

Type de Boitier

TO-263

Type de montage

Circuit imprimé

Résistance Drain Source maximum Rds

4.3mΩ

Tension directe Vf

1.3V

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Le MOSFET de puissance HEXFET d'Infineon est optimisé pour une commande de niveau logique, un RDS très faible à 4,5 V VGS, il est utilisé pour la commande de moteurs à courant continu, le redressement synchrone à haut rendement dans les SMPS, l'alimentation sans interruption, la commutation de puissance à haute vitesse, les circuits à commutation dure et à haute fréquence.

R*Q supérieur à 45 V VGS

Meilleure robustesse de la grille, de l'avalanche et de la dynamique dV/dt

Capacité et aire de sécurité en avalanche entièrement caractérisées

Amélioration de la capacité dV/dt et dI/dt des diodes de corps

Sans plomb

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