MOSFET canal N STMicroelectronics 9 A 400 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 SuperMESH

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Code commande RS:
151-428
Référence fabricant:
STB11NK40ZT4
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

9A

Tension Drain Source maximum Vds

400V

Série

SuperMESH

Type de Boitier

TO-263

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

0.55Ω

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

32nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

30V

Tension directe Vf

1.6V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

15.85mm

Normes/homologations

RoHS

Largeur

10.4mm

Hauteur

4.6mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN
Le MOSFET de puissance de STMicroelectronics est développé à l'aide de la technologie Super MESH, une optimisation de la puissance MESH bien établie. En plus d'une réduction significative de la résistance, ces dispositifs sont conçus pour garantir un haut niveau de capacité dv/dt pour les applications les plus exigeantes.

100 % testé contre les avalanches

Charge de grille minimisée

Très faible capacité intrinsèque

Protégé Zener

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